[發(fā)明專利]一種P型黑硅雙面電池的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710207304.9
• 申請(qǐng)日: 2017-03-31
• 公開（公告）號(hào): CN106952974B
• 公開（公告）日: 2019-06-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張范;鄭霈霆;張昕宇;許佳平;孫海杰;郭瑤
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/0236
• 分類號(hào): H01L31/0236;H01L31/028;H01L31/18
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 羅滿

本申請(qǐng)公開了一種P型黑硅雙面電池的制備方法，包括在硅片的雙面制絨；進(jìn)行正面黑硅制絨、正面P型擴(kuò)散并制作正面掩膜；去除所述硅片背面的PSG，并進(jìn)行背面黑硅制絨；在所述硅片的背面制作背場(chǎng)及減反射膜，并制作正面減反射膜；在所述硅片的雙面印刷電極。本申請(qǐng)?zhí)峁┑纳鲜鯬型黑硅雙面電池的制備方法，能夠提高電池短波響應(yīng)和光電流，增加電池轉(zhuǎn)換效率，且能夠提高電池良品率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于光伏電池技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種P型黑硅雙面電池的制備方法。

背景技術(shù)

目前，硅基太陽(yáng)能電池依然是世界上產(chǎn)量及安裝量最高的太陽(yáng)能電池，規(guī)模占所有光伏電池的90％以上，并且在未來很長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi)依然是主要形式，因此，如何繼續(xù)降低制作成本并提高制作效率仍是一個(gè)重要的問題。

發(fā)明內(nèi)容

為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種P型黑硅雙面電池的制備方法，能夠提高電池短波響應(yīng)和光電流，增加電池轉(zhuǎn)換效率，且能夠提高電池良品率。

本發(fā)明提供的一種P型黑硅雙面電池的制備方法，包括：

在硅片的雙面制絨；

進(jìn)行正面黑硅制絨、正面P型擴(kuò)散并制作正面掩膜；

去除所述硅片背面的PSG，并進(jìn)行背面黑硅制絨；

在所述硅片的背面制作背場(chǎng)及減反射膜，并制作正面減反射膜；

在所述硅片的雙面印刷電極。

優(yōu)選的，在上述P型黑硅雙面電池的制備方法中，

所述進(jìn)行正面黑硅制絨之后，還包括第一次清洗。

優(yōu)選的，在上述P型黑硅雙面電池的制備方法中，

所述正面P型擴(kuò)散為：設(shè)置溫度為780℃至790℃，擴(kuò)散16分鐘至20分鐘，并設(shè)定推進(jìn)溫度為820℃至830℃，推進(jìn)20分鐘至30分鐘。

優(yōu)選的，在上述P型黑硅雙面電池的制備方法中，

所述去除所述硅片背面的PSG為：利用濃度為1％的氫氟酸浸泡所述硅片3分鐘，去除所述硅片背面的PSG。

優(yōu)選的，在上述P型黑硅雙面電池的制備方法中，

所述去除所述硅片背面的PSG之后，還包括：

對(duì)所述硅片進(jìn)行第二次清洗。

優(yōu)選的，在上述P型黑硅雙面電池的制備方法中，

所述進(jìn)行背面黑硅制絨包括：

利用反應(yīng)離子刻蝕方式進(jìn)行背面黑硅制絨持續(xù)130秒至150秒，得到反射率為3％至6％的黑硅。

優(yōu)選的，在上述P型黑硅雙面電池的制備方法中，

所述去除所述硅片背面的PSG為：

利用濃度為10％至15％的氫氟酸作用5分鐘至10分鐘。

通過上述描述可知，本發(fā)明提供的上述P型黑硅雙面電池的制備方法，由于包括在硅片的雙面制絨；進(jìn)行正面黑硅制絨、正面P型擴(kuò)散并制作正面掩膜；去除所述硅片背面的PSG，并進(jìn)行背面黑硅制絨；在所述硅片的背面制作背場(chǎng)及減反射膜，并制作正面減反射膜；在所述硅片的雙面印刷電極，因此能夠提高電池短波響應(yīng)和光電流，增加電池轉(zhuǎn)換效率，且能夠提高電池良品率。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。