[發明專利]一種具有增強紫外熒光強度的鋁納米顆粒制備方法

在審

• 申請號: 201710206460.3
• 申請日: 2017-03-31
• 公開（公告）號: CN107020385A
• 公開（公告）日: 2017-08-08
• 發明（設計）人: 陶春先;馬守寶;洪瑞金;劉瓊;錢曉晨;張大偉
• 申請（專利權）人: 上海理工大學
• 主分類號: B22F9/12
• 分類號: B22F9/12;B22F1/00;C23C14/24;C23C14/18;C09K11/64;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 上海德昭知識產權代理有限公司31204
• 代理人: 郁旦蓉

1.一種具有增強紫外熒光強度的鋁納米顆粒制備方法，其特征在于：使用金屬鋁作為蒸發材料，在石英基底上制備出具有納米結構的金屬顆粒，包括以下步驟：

步驟1，選用鋁錠作為蒸發材料，石英作為基底，在真空室中進行在石英基底上蒸鍍成膜；

步驟2，對真空室進行抽氣，待真空室達到預定的真空度后，進入下一步；

步驟3，對所述鋁錠進行預熔后得到液態鋁；

步驟4，對所述液態鋁在預定烘烤溫度下烘烤進行蒸發鍍膜；

步驟5，蒸發鍍膜結束后得到金屬鋁納米顆粒。

2.根據權利要求1所述的具有增強紫外熒光強度的鋁納米顆粒制備方法，其特征在于：

其中，步驟2中的所述真空度為5×10^-4Pa。

3.根據權利要求1所述的具有增強紫外熒光強度的鋁納米顆粒制備方法，其特征在于：

其中，步驟3中所述預熔的電流為100mA。

4.根據權利要求1所述的具有增強紫外熒光強度的鋁納米顆粒制備方法，其特征在于：

其中，步驟4中所述預定烘烤溫度為150℃-300℃。

5.根據權利要求1所述的具有增強紫外熒光強度的鋁納米顆粒制備方法，其特征在于：

其中，步驟4中所述蒸發鍍膜采用電子束蒸發鍍膜。

6.根據權利要求1所述的具有增強紫外熒光強度的鋁納米顆粒制備方法，其特征在于：

其中，步驟4中所述蒸發鍍膜過程中，蒸發電流為150mA，蒸發速率為3A/s。

7.根據權利要求1所述的具有增強紫外熒光強度的鋁納米顆粒制備方法，其特征在于：

其中，步驟4中所述鍍膜得到的膜的光學厚度范圍為5nm-15nm。

8.根據權利要求1所述的具有增強紫外熒光強度的鋁納米顆粒制備方法，其特征在于：

其中，步驟5中所述金屬鋁納米顆粒吸收峰峰位在324nm-364nm波段。