[發明專利]一種顯影裝置以及顯影處理方法在審
| 申請號: | 201710205380.6 | 申請日: | 2017-03-31 |
| 公開(公告)號: | CN106873318A | 公開(公告)日: | 2017-06-20 |
| 發明(設計)人: | 沈楠 | 申請(專利權)人: | 昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號: | G03F7/30 | 分類號: | G03F7/30 |
| 代理公司: | 北京國昊天誠知識產權代理有限公司11315 | 代理人: | 許志勇 |
| 地址: | 215300 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯影 裝置 以及 處理 方法 | ||
技術領域
本申請涉及光刻膠顯影技術領域,尤其涉及一種顯影裝置以及顯影處理方法。
背景技術
在半導體的制作中,光刻工藝是一種非常重要的工藝步驟。在使用光刻工藝對半導體進行光刻處理后,可以使其光刻得到具有設定尺寸的TFT(英文全稱:Thin Film Transistor,中文名稱:薄膜晶體管)圖形。
具體地,在對半導體進行光刻處理時,第一步,將光刻膠涂抹在覆蓋有薄膜的玻璃基板上,使光刻膠覆蓋整個薄膜;第二步,在設定溫度下,對涂有光刻膠的玻璃基板進行軟烘處理,使光刻膠粘附在玻璃基板上;第三步,在玻璃基板上需要去除光刻膠的位置處進行對準曝光處理;第四步,使用顯影液對已曝光的光刻膠進行清洗,去掉已曝光的光刻膠;第五步,對顯影處理后的玻璃基板進行硬烘處理;第六步,對硬烘后的玻璃基板進行刻蝕,并得到具有設定尺寸的TFT圖形。
然而,在實際應用中,在使用光刻工藝光刻得到TFT圖形的過程中,由于每個工藝步驟不可避免的存在缺陷,導致最終得到的TFT圖形的尺寸存在較大的誤差,例如,在對涂有光刻膠的玻璃基板進行曝光處理時,如果曝光時間過長,將導致得到的TFT圖形的尺寸相比于設定尺寸較小。這樣,在TFT圖形尺寸存在較大誤差的情況下,將導致產品的良率較低。
發明內容
本申請實施例提供一種顯影裝置以及顯影處理方法,用于解決在現有的光刻工藝中,由于在實際應用中每個工藝步驟不可避免的存在缺陷,導致得到的TFT圖形的尺寸存在較大差異,產品良率較低的問題。
本申請實施例提供一種顯影裝置,所述顯影裝置包括:顯影噴嘴、連接管路以及顯影箱,其中:
所述顯影箱用于盛放顯影液;
所述連接管路用于連通所述顯影噴嘴與所述顯影箱,將所述顯影液輸送至所述顯影噴嘴;
所述顯影噴嘴用于將所述顯影液噴淋至待顯影的目標區域,且所述顯影噴嘴的位置可調。
優選地,所述顯影裝置還包括:固定裝置,其中:
所述固定裝置用于固定所述顯影噴嘴,所述顯影噴嘴在所述固定裝置上的固定位置可調。
優選地,所述固定裝置包括:支架和鎖緊結構,其中:
在所述鎖緊結構的非鎖緊狀態下,將所述顯影噴嘴調節至設定位置,所述設定位置為與所述待顯影的目標區域相對應的位置;
在所述顯影噴嘴調節到所述設定位置后,所述鎖緊結構將所述顯影噴嘴鎖緊至所述設定位置。
優選地,所述連接管路包含至少一個連接接口,所述顯影噴嘴通過其中一個所述連接接口與所述連接管路連接。
優選地,所述顯影噴嘴通過其中一個所述連接接口與所述連接管路連接,包括:
所述顯影噴嘴調整至設定位置后,通過所述設定位置對應的所述連接接口與所述連接管路連接,所述設定位置為與所述待顯影的目標區域相對應的位置。
優選地,所述顯影噴嘴的個數大于1,所述至少兩個顯影噴嘴的固定位置與所述待顯影的目標區域的位置相對應。
優選地,所述至少兩個顯影噴嘴的固定位置相鄰;
或,所述至少兩個顯影噴嘴的固定位置互不相鄰;
或,所述至少兩個顯影噴嘴中至少兩個所述顯影噴嘴連的固定位置相鄰。
優選地,所述顯影噴嘴的噴淋范圍根據所述待顯影的目標區域確定。
本申請實施例還提供一種顯影處理方法,包括:
確定待顯影的目標區域;
將所述顯影噴嘴調節至與所述待顯影的目標區域相對應的位置;
使用所述顯影噴嘴將顯影液噴淋至所述待顯影的目標區域進行顯影處理。
優選地,所述確定待顯影的目標區域,包括:
確定設定區域內目標對象的實際尺寸;
將所述目標對象的實際尺寸與所述目標對象的設定尺寸進行對比;
確定所述實際尺寸與所述設定尺寸的差值大于設定值的所述目標對象,并將所述目標對象所在的區域作為所述待顯影的目標區域。
本申請實施例采用的上述至少一個技術方案能夠達到以下有益效果:
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