[發(fā)明專利]處理裝置以及物品的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710204474.1
• 申請日: 2017-03-31
• 公開（公告）號: CN107275269B
• 公開（公告）日: 2021-07-30
• 發(fā)明（設計）人: 石井智裕
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: H01L21/677
• 分類號: H01L21/677;H01L21/68;G03F7/20
• 代理公司: 中國貿(mào)促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 李鵬宇

本發(fā)明提供一種對基板進行處理的處理裝置，其具有卡具、校正部件、第1減壓部和控制部，卡具吸附基板的背面并保持基板，校正部件包括與被卡具保持的基板的表面相向的相向面和與基板的包括外緣在內(nèi)的表面的外周區(qū)域相向地被設置在相向面并從相向面朝表面?zhèn)韧怀龅耐共浚共颗c外周區(qū)域相接，在相向面和表面的比外周區(qū)域靠內(nèi)側的中央?yún)^(qū)域之間限定第1空間，第1減壓部經(jīng)由與第1空間連通的被形成在校正部件的連通路對第1空間進行減壓，控制部進行在將校正部件推壓在基板上的狀態(tài)下通過由第1減壓部對第1空間進行減壓而使基板仿形于卡具的處理。

技術領域

本發(fā)明涉及處理裝置以及物品的制造方法。

背景技術

半導體設備的制造中使用的曝光裝置具有基板載置臺和相對于基板載置臺進行基板的供給以及回收的搬運機械手。基板載置臺經(jīng)基板卡具真空吸附并保持基板。

伴隨著半導體設備的高集成化，配線的細微化、多層化發(fā)展。若配線層多層化，則隨著進入半導體設備的制造工序的后續(xù)工序，會發(fā)現(xiàn)由于成膜中的膜應變積累而在基板整體產(chǎn)生翹曲的現(xiàn)象。例如，在成為半導體芯片的層疊技術的TSV(Through Silicon Via)工序中，由于在作為貫通電極的金屬(例如，銅)和其周圍的硅之間的熱膨脹系數(shù)的差異，在貫通電極和硅之間產(chǎn)生應變。對于這樣的產(chǎn)生了翹曲的基板，不能進行由真空吸附進行的保持。

因此，針對基板的保持，日本特開2001-284434號公報、日本特開2006-54388號公報提出了用于校正基板的翹曲的技術。例如，日本特開2001-284434號公報公開了具有校正基板的翹曲的外周按壓部件的移載裝置。另外，日本特開2006-54388號公報公開了通過從基板的上面噴射空氣來校正基板的翹曲的搬運裝置。

近年來，由于在基板的翹曲量變大的傾向的基礎上，基板的厚度也增加，所以，要求對彎曲剛性高的基板進行處理。為了校正這樣的基板的翹曲，增大校正力必不可少。因此，在日本特開2001-284434號公報公開的技術中，需要增大將外周按壓部件向基板推壓時的推力，且增大用于抵抗該推力的基板載置臺的上推力。然而，為了實現(xiàn)這種情況，必須增大基板載置臺的重量，因此，導致占用空間的擴大、載置臺精度的降低等。這樣的問題在日本特開2006-54388號公報公開的技術中也同樣產(chǎn)生。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種有利于校正基板的翹曲并保持基板的處理裝置。

為了實現(xiàn)上述目的，作為本發(fā)明的第1方面的處理裝置，是對基板進行處理的處理裝置，其特征在于，具有卡具、校正部件、第1減壓部和控制部，所述卡具吸附所述基板的背面并保持基板；所述校正部件包括相向面和凸部，所述相向面與被所述卡具保持的所述基板的表面相向，所述凸部與所述基板的包括外緣在內(nèi)的所述表面的外周區(qū)域相向地被設置在所述相向面并從所述相向面朝所述表面?zhèn)韧怀觯鐾共颗c所述外周區(qū)域相接，在所述相向面和所述表面的比所述外周區(qū)域靠內(nèi)側的中央?yún)^(qū)域之間限定出第1空間；所述第1減壓部經(jīng)由與所述第1空間連通的被形成在所述校正部件的連通路對所述第1空間進行減壓；所述控制部進行以下處理：在將所述校正部件推壓在所述基板上的狀態(tài)下，通過由所述第1減壓部對所述第1空間減壓來使所述基板仿形于所述卡具。