[發明專利]一種MOCVD設備反應腔體

在審

• 申請號: 201710203985.1
• 申請日: 2017-03-30
• 公開（公告）號: CN106929819A
• 公開（公告）日: 2017-07-07
• 發明（設計）人: 李致文;張勇
• 申請（專利權）人: 深圳市捷佳偉創新能源裝備股份有限公司
• 主分類號: C23C16/18
• 分類號: C23C16/18;C23C16/455
• 代理公司: 深圳市康弘知識產權代理有限公司44247
• 代理人: 胡朝陽,尹彥

技術領域

本發明涉及MOCVD設備，更具體地說是涉及一種MOCVD設備反應腔體。

背景技術

MOCVD設備是半導體行業的基礎性設備，而我國在該領域一直依賴于進口，隨著國家能源的緊缺和半導體照明工程的發展，國產MOCVD 設備的研發工作重要性更加凸顯。而MOCVD設備的核心部件之一是反應室的進氣系統，目前主流的做法是在腔體蓋上設計多個進氣點，以保證進氣時反應腔內的氣場的均勻性，這樣做缺點主要是每個進氣點都設置了質量流量計，因此成本較高，且工藝調試非常復雜，可復制性差。

發明內容

本發明要解決的技術問題是提供一種成本低、工藝調試簡單、可復制性好的MOCVD設備反應腔體，保證了進氣時反應腔內的氣場均勻性

本發明的技術方案為：一種MOCVD設備反應腔體，包括：

腔體壁，其形成反應腔；

腔體蓋，其設置在所述反應腔的頂端開口處；

載片盤，其設置在所述反應腔的底部；

噴淋頭，其設置在所述反應腔的頂部，所述噴淋頭上設置有供不同氣體進入所述反應腔的多種進氣區域，每種進氣區域上設置有噴淋口，所述噴淋口的出氣端口與所述反應腔連通，所述噴淋口與所述載片盤垂直；

多種進氣管道，分別與對應的進氣區域連通，進氣管道的出氣口穿過所述腔體蓋與所述噴淋口的進氣端口連通，所述進氣管道的進氣口位于所述腔體蓋外。

所述噴淋頭內設置有冷卻水道，所述噴淋頭上設置有冷卻水出管和冷卻水進管，所述冷卻水進管的出水口與所述冷卻水道的進水口連通，所述冷卻水進管的進水口穿過所述腔體蓋與外部連通，所述冷卻水出管的進水口與所述冷卻水道的出水口連通，所述冷卻水出管的出水口穿過所述腔體蓋與外部連通。

所述每種進氣區域上設置有多個噴淋口。

所述噴淋口為條形縫，所述噴淋頭上的所有條形縫形成陣列分布。

所述噴淋口為圓孔，所述噴淋頭上的所有圓孔形成陣列分布或者圓周分布。

所述噴淋頭上的相鄰兩個噴淋口之間設置所述冷卻水道。

所述噴淋頭通過法蘭連接在所述腔體蓋的內側，且所述噴淋頭與所述法蘭之間形成緩沖腔。

本發明提出的MOCVD設備反應腔體摒棄了現有技術中采用質量流量計來保證進氣時反應腔內的氣場的均勻性的做法，而是通過在反應腔的頂部設置噴淋頭，在噴淋頭上設置不同的進氣區域，多種進氣管道分別與對應的進氣區域連通，這樣不同的氣體經各自的進氣管道進入，再通過與各自對應的進氣區域上的噴淋口進入反應腔，使得反應腔內的氣體分布均勻，進而使得進氣時反應腔內的氣場分布均勻，這種做法成本低，工藝調試簡單、可復制性好。

附圖說明

圖1為本發明MOCVD設備反應腔體的剖面結構圖。

圖2為圖1中A處的放大圖。

圖3為圖1中B處的放大圖。

圖4為本發明MOCVD設備反應腔體中的噴淋頭的平面圖。

圖5為本發明MOCVD設備反應腔體中的噴淋頭的斜視圖。

具體實施方式

如圖1，本實施例中的MOCVD設備反應腔體，包括腔體壁1、腔體蓋3、載片盤5、噴淋頭4和多種進氣管道。

腔體壁1形成反應腔2，腔體蓋3設置在反應腔2的頂端開口處，載片盤5設置在反應腔2的底部，載片盤5是旋轉的。噴淋頭4設置在反應腔2的頂部，噴淋頭4上設置有供不同氣體進入反應腔的多種進氣區域，每種進氣區域上設置有噴淋口11（參考圖2），噴淋口11的出氣端口與反應腔2連通，噴淋口11與載片盤5垂直。多種進氣管道分別與對應的進氣區域連通，進氣管道的出氣口穿過腔體蓋3與噴淋口的進氣端口連通，進氣管道的進氣口位于腔體蓋3外。這樣不同的氣體經各自的進氣管道進入，再通過與各自對應的進氣區域上的噴淋口進入反應腔，使得反應腔內的氣體分布均勻，進而使得進氣時反應腔內的氣場分布均勻。

每種進氣區域上設置有多個噴淋口。

如圖4，本實施例中噴淋口11為條形縫，該噴淋頭上的所有條形縫形成陣列分布。