[發明專利]一種TFT背板的制作方法及TFT背板

有效

• 申請號: 201710203707.6
• 申請日: 2017-03-30
• 公開（公告）號: CN106952928B
• 公開（公告）日: 2018-10-23
• 發明（設計）人: 周星宇
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 鐘子敏

1.一種TFT背板的制作方法，其特征在于，包括：

準備基板；

在所述基板上形成第一活性區；其中，所述第一活性區為多晶硅材質；

在所述第一活性區上及未被所述第一活性區覆蓋的所述基板上依次沉積氧化物層及氮化物層作為第一絕緣層；

在所述氮化物層上分別形成相互獨立的第一柵極及第二柵極，且所述第一柵極位于所述第一活性區上方；

去除所述第一、第二柵極覆蓋不到的所述氮化物層；

在所述第一、第二柵極及未被所述氮化物層覆蓋的所述氧化物層上沉積第二絕緣層；

在所述第二柵極上方的所述第二絕緣層上形成第二活性區；其中，所述第二活性區與所述第一活性區的材質不同；

為所述第一活性區及所述第二活性區分別制備第一源極、第一漏極及第二源極、第二漏極。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，

所述去除所述第一、第二柵極覆蓋不到的所述氮化物層包括：以所述第一、第二柵極為自對準，利用干蝕法去除所述未被所述第一、第二柵極覆蓋的氮化物層。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第二活性區為氧化物材質。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，

在所述準備基板之后，在所述基板上形成第一活性區之前還包括：

形成緩沖層；其中，所述緩沖層包括氮化硅層和/或氧化硅層。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，

所述氮化物為SiN。

6.一種TFT背板，其特征在于，包括：

基板；

第一活性區，設置于所述基板上；其中，所述第一活性區為多晶硅材質；

第一絕緣層，設置于所述第一活性區上及未被所述第一活性區覆蓋的所述基板上；其中，所述第一絕緣層包括依次沉積的氧化物層及氮化物層；且所述氮化物層包括相互獨立的第一氮化物層及第二氮化物層；

第一、第二柵極，分別設置于所述第一、第二氮化物層上；所述氮化物層只存在于所述第一、第二柵極與所述氧化物層之間；其中，所述第一、第二柵極覆蓋不到的所述氮化物層被去除；

第二絕緣層，設置于所述第一、第二柵極及未被所述氮化物層覆蓋的所述氧化物層上；

第二活性區，設置于所述第二柵極上方的所述第二絕緣層上；其中，所述第二活性區與所述第一活性區的材質不同；

第一源電極、第一漏電極，分別接觸所述第一活性區的兩端；

第二源電極、第二漏電極，分別接觸所述第二活性區的兩端。

7.根據權利要求6所述的TFT背板，其特征在于，

所述第二活性區為氧化物材質。

8.根據權利要求6所述的TFT背板，其特征在于，

所述第一、第二氮化物層是以所述第一、第二柵極為自對準，利用干蝕法去除所述未被所述第一、第二柵極覆蓋的氮化物層而形成的。

9.根據權利要求6所述的TFT背板，其特征在于，

還包括：設置于所述基板與所述第一活性區間的緩沖層；其中，所述緩沖層包括氮化硅層和/或氧化硅層。

10.根據權利要求6所述的TFT背板，其特征在于，

所述氮化物為SiN。