[發明專利]一種發光二極管的晶元測試方法和晶元測試系統有效
| 申請號： | 201710203377.0 | 申請日： | 2017-03-30 |
| 公開（公告）號： | CN107167718B | 公開（公告）日： | 2019-10-08 |
| 發明（設計）人： | 喻海波;葉青賢;向光勝;陳建南;周高明 | 申請（專利權）人： | 華燦光電（浙江）有限公司 |
| 主分類號： | G01R31/26 | 分類號： | G01R31/26;G01R31/44 |
| 代理公司： | 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金華市義*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 發光二極管 測試 方法 系統 | ||
1.一種發光二極管的晶元測試方法，其特征在于，所述晶元測試方法包括：
對同一片待測試晶元上的LED芯片進行抽樣測試，得到抽樣測試結果，所述抽樣測試結果包括多種光電參數的測試結果，所述抽樣測試的樣本均勻分布于所述待測試晶元上；
將所述抽樣測試結果分別與對應的多種光電參數的預設標準進行比較，以得到未達標光電參數；
對同一片所述待測試晶元上的每個所述LED芯片進行所述未達標光電參數的逐一測試，根據所述未達標光電參數的測試結果確定每個LED芯片是否合格。
2.根據權利要求1所述的晶元測試方法，其特征在于，所述多種光電參數包括抗靜電電壓、開啟電壓、工作電壓、電壓暫態峰值與穩定值之差、漏電流、反向擊穿電壓、亮度、主值波長、峰值波長、半波長、CIE色度x坐標和CIE色度y坐標中的多種。
3.根據權利要求1所述的晶元測試方法，其特征在于，所述抽樣測試結果為所述多種光電參數中的任一種的良率或所述多種光電參數中的任一種的平均值。
4.根據權利要求1～3任一項所述的晶元測試方法，其特征在于，所述抽樣測試的樣本總數不小于同一片所述待測試晶元上的所述LED芯片的總數的1％，且不大于同一片所述待測試晶元上的所述LED芯片的總數的10％。
5.一種發光二極管的晶元測試系統，其特征在于，所述晶元測試系統包括：
第一測試單元，用于對同一片待測試晶元上的LED芯片進行抽樣測試，得到抽樣測試結果，所述抽樣測試結果包括多種光電參數的測試結果，作為樣本的所述LED芯片均勻分布于所述待測試晶元上；
處理單元，用于將所述抽樣測試結果分別與對應的多種光電參數的預設標準進行比較，以得到未達標光電參數；
第二測試單元，用于對同一片所述待測試晶元上的每個所述LED芯片進行所述未達標光電參數的逐一測試，根據所述未達標光電參數的測試結果確定每個LED芯片是否合格。
6.根據權利要求5所述的晶元測試系統，其特征在于，所述多種光電參數包括抗靜電電壓、開啟電壓、工作電壓、電壓暫態峰值與穩定值之差、漏電流、反向擊穿電壓、亮度、主值波長、峰值波長、半波長、CIE色度x坐標和CIE色度y坐標中的多種。
7.根據權利要求5所述的晶元測試系統，其特征在于，所述抽樣測試結果為所述多種光電參數中的任一種的良率或所述多種光電參數中的任一種的平均值。
8.根據權利要求5～7任一項所述的晶元測試系統，其特征在于，所述抽樣測試的樣本總數不小于同一片所述待測試晶元上的所述LED芯片的總數的1％，且不大于10％。
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