[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710203255.1
• 申請(qǐng)日: 2017-03-30
• 公開（公告）號(hào): CN108666221B
• 公開（公告）日: 2021-08-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周飛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 吳敏

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括襯底及位于襯底上的多個(gè)鰭部；

在所述鰭部之間形成隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)頂部低于所述鰭部頂部；

形成橫跨所述鰭部的柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)覆蓋鰭部的部分側(cè)壁和部分頂部表面；

形成覆蓋所述柵極結(jié)構(gòu)和所述鰭部的側(cè)墻層；

對(duì)所述側(cè)墻層進(jìn)行刻蝕，以在所述柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上形成柵極側(cè)墻，并在鰭部靠近所述隔離結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上形成遮擋側(cè)墻；

以所述柵極側(cè)墻和所述遮擋側(cè)墻為掩膜對(duì)所述鰭部進(jìn)行注入工藝，在所述鰭部中形成輕摻雜漏區(qū)域。

2.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述側(cè)墻層的材料是氮化硅。

3.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述遮擋側(cè)墻的高度是100埃～350埃。

4.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述側(cè)墻層的厚度是15埃～80埃。

5.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述遮擋側(cè)墻采用的是干法刻蝕工藝。

6.如權(quán)利要求5所述的形成方法，其特征在于，所述干法刻蝕工藝的參數(shù)為：CF₄:5SCCM～100SCCM,CH₃F:8SCCM～50SCCM,O₂:10SCCM～100SCCM,RF:50W～300W,DC:30V～100V,4S～50S,10mtorr～2000mtorr。

7.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述襯底包括用于形成N型半導(dǎo)體的N型區(qū)域，對(duì)所述N型區(qū)域內(nèi)的所述鰭部進(jìn)行輕摻雜漏注入的離子包括AS或P，離子注入劑量在1.0E14atm/cm²～1.0E16atm/cm²。

8.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述襯底包括用于形成P型半導(dǎo)體的P型區(qū)域，對(duì)所述P型區(qū)域內(nèi)的所述鰭部進(jìn)行輕摻雜漏注入的離子包括B或BF2，離子注入劑量在1.0E14atm/cm²～8.0E15atm/cm²。

9.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述鰭部中形成輕摻雜漏區(qū)域以后，所述形成方法還包括：去除所述遮擋側(cè)墻；在所述柵極側(cè)墻兩側(cè)的鰭部中形成源漏摻雜區(qū)。

10.如權(quán)利要求9所述的形成方法，其特征在于，形成所述源漏摻雜區(qū)的步驟包括：在所述柵極側(cè)墻兩側(cè)的鰭部中形成應(yīng)力層，并對(duì)所述應(yīng)力層進(jìn)行離子注入。

11.如權(quán)利要求10所述的形成方法，其特征在于，對(duì)所述應(yīng)力層進(jìn)行離子注入之后，進(jìn)行退火處理，在柵極側(cè)墻兩側(cè)的鰭部中形成源漏摻雜區(qū)。