[發明專利]半導體結構及其形成方法

在審

• 申請號: 201710202667.3
• 申請日: 2017-03-30
• 公開（公告）號: CN108666220A
• 公開（公告）日: 2018-10-16
• 發明（設計）人: 張城龍;肖芳元;王彥
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/78
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣;吳敏

1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底上具有鰭部；

在所述襯底上形成隔離結構，所述隔離結構覆蓋所述鰭部部分側壁，所述隔離結構表面低于所述鰭部頂部表面；

形成隔離結構之后，在所述鰭部和隔離結構上形成犧牲層，所述犧牲層中具有第一開口，所述第一開口底部暴露出所述鰭部部分頂部表面，在垂直于所述鰭部延伸方向且平行于襯底表面的方向上，所述第一開口貫穿位于所述鰭部頂部上的犧牲層；

以所述犧牲層為掩膜對所述鰭部進行刻蝕，在所述鰭部中形成第二開口，所述第二開口底部表面低于所述隔離結構表面；

在所述第二開口中形成隔離層；

形成隔離層之后，去除所述犧牲層。

2.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，形成隔離結構的步驟包括：在所述襯底上形成初始隔離結構，所述初始隔離結構表面高于或齊平于所述鰭部頂部表面；對所述初始隔離結構進行刻蝕，使所述初始隔離結構表面低于所述鰭部頂部表面，形成所述隔離結構。

3.如權利要求2所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，對所述初始隔離結構進行刻蝕的工藝包括：濕法刻蝕工藝或遠程等離子體處理。

4.如權利要求3所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，通過遠程等離子體處理對所述初始隔離結構進行刻蝕的刻蝕氣體包括：NF₃。

5.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，對所述鰭部進行刻蝕的工藝包括：干法刻蝕工藝、濕法刻蝕工藝或遠程等離子刻蝕工藝。

6.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，形成所述隔離層的步驟包括：在所述第一開口和第二開口中，以及所述犧牲層上形成初始隔離層；去除所述犧牲層上的初始隔離層，形成隔離層。

7.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，去除所述犧牲層之前，還包括：對所述隔離層進行刻蝕，使所述隔離層表面低于所述犧牲層表面。

8.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，去除所述犧牲層之后，還包括：對所述隔離層進行刻蝕，降低所述隔離層的高度。

9.如權利要求7或8所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，對所述隔離層進行刻蝕的工藝包括：干法刻蝕工藝、濕法刻蝕工藝或遠程等離子體處理。

10.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述犧牲層的為抗反射涂層、有機介質層或旋涂碳層。

11.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述犧牲層的厚度為100埃～2000埃。

12.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述隔離層表面高于或齊平于所述鰭部頂部表面。

13.如權利要求12所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述隔離層表面高于所述鰭部頂部表面，所述第二開口的深度大于1000埃，所述隔離層頂部表面與所述鰭部頂部表面的高度差為450埃～550埃。

14.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，形成所述隔離層之前，所述形成方法還包括：在所述第一開口和第二開口側壁表面形成保型層，所述保型層的熔點大于所述犧牲層的熔點。

15.如權利要求14所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述保型層的材料為氧化硅或氮氧化硅。

16.如權利要求14所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述保型層的厚度小于或等于150埃。