[發明專利]一種用于低壓差線性穩壓器的快速響應電路及方法

有效

• 申請號: 201710202653.1
• 申請日: 2017-03-30
• 公開（公告）號: CN106873697B
• 公開（公告）日: 2018-05-29
• 發明（設計）人: 佟星元;位康康
• 申請（專利權）人: 西安郵電大學
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司 61200
• 代理人: 劉強

1.一種用于低壓差線性穩壓器的快速響應電路，其特征在于，包括控制電路(I)和過沖及下沖調節電路(II)；所述控制電路(I)包括結構相同的電路A和電路B，所述電路A或電路B均由兩個CMOS反相器級聯構成；所述過沖及下沖調節電路(II)由PMOS管M1和NMOS管M2構成；PMOS管M1和NMOS管M2的柵極分別和控制電路(I)的輸出信號相連，PMOS管M1和NMOS管M2的漏極均接LDO的輸出VOUT，PMOS管M1的源極接LDO的輸入電壓Vin，NMOS管M2的源極接地；所述PMOS管M1和NMOS管M2的漏極和源極均能夠互換；所述PMOS管M1襯底接Vin，NMOS管M2的襯底接地。

2.根據權利要求1所述的用于低壓差線性穩壓器的快速響應電路，其特征在于，所述電路A或電路B包括PMOS晶體管Mp1、NMOS晶體管Mn1、PMOS晶體管Mp2以及NMOS晶體管Mn2；所述PMOS晶體管Mp1和NMOS晶體管Mn1構成第1級反相器，所述PMOS晶體管Mp2和NMOS晶體管Mn2構成第2級反相器；

所述PMOS晶體管Mp1和NMOS晶體管Mn1，或者PMOS晶體管Mp2和NMOS晶體管Mn2的柵極相連作為反相器的輸入；

所述PMOS晶體管Mp1和NMOS晶體管Mn1，或者PMOS晶體管Mp2和NMOS晶體管Mn2的漏極相連作為反相器的輸出；

所述NMOS晶體管Mn1和NMOS晶體管Mn2的源極均接地；

所述PMOS晶體管Mp1的源極接偏置電壓VB，所述PMOS晶體管Mp2的源極接LDO的輸入電壓Vin，其中VB＜Vin；

所述第1級反相器的輸入接LDO中的反饋信號VFB，第2級反相器的輸入與第1級反相器的輸出相連，第2級反相器的輸出為ctr1或ctr2；所述NMOS晶體管Mn1和NMOS晶體管Mn2的漏極和源極均能夠互換；所述PMOS晶體管Mp1或PMOS晶體管Mp2的襯底接Vin，NMOS晶體管Mn1或NMOS晶體管Mn2襯底接地。