[發明專利]半導體結構及其形成方法

在審

• 申請號: 201710202615.6
• 申請日: 2017-03-30
• 公開（公告）號: CN108666208A
• 公開（公告）日: 2018-10-16
• 發明（設計）人: 方周;胡華勇;劉暢;潘周君
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/311
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 吳敏

1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成介質層，所述介質層含氮；

在所述介質層上形成硬掩膜層；

在所述硬掩膜層上形成阻擋層；

在所述阻擋層上形成第一光阻圖形層；

去除所述第一光阻圖形層；

在所述阻擋層上形成第二光阻圖形層；

以所述第二光阻圖形層為掩膜刻蝕所述阻擋層和硬掩膜層，形成硬掩膜圖形；

以所述硬掩膜圖形為掩膜圖形化所述介質層。

2.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，去除所述第一光阻圖形層的工藝為濕法工藝或灰化工藝。

3.如權利要求2所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述灰化工藝采用的氣體包括O₂或O₃。

4.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，采用第一濕法刻蝕工藝形成所述第二光阻圖形層，所述第一濕法刻蝕工藝采用的溶液中含有氫離子。

5.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，以所述第二光阻圖形層為掩膜刻蝕所述阻擋層和硬掩膜層，形成硬掩膜圖形的步驟包括：

以所述第二光阻圖形層為掩膜刻蝕所述阻擋層，形成阻擋圖形層；去除第二光阻圖形層；以所述阻擋圖形層為掩膜刻蝕所述硬掩膜層，形成硬掩膜圖形。

6.如權利要求5所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，圖形化所述介質層的步驟中，去除所述阻擋圖形層。

7.如權利要求5所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，圖形化所述硬掩膜層的步驟采用第二濕法刻蝕工藝，所述第二濕法刻蝕工藝采用的溶液中含有氫離子。

8.如權利要求7所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第二濕法刻蝕工藝的步驟包括：采用磷酸溶液進行濕法刻蝕，且所述磷酸溶液的質量分數在80％～90％的范圍內，所述第二濕法刻蝕工藝的溫度為140℃～160℃。

9.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，以所述硬掩膜圖形為掩膜圖形化所述介質層的步驟包括：采用第三濕法刻蝕工藝，所述第三濕法刻蝕工藝采用的溶液中含有氫離子。

10.如權利要求9所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第三濕法刻蝕工藝的步驟包括：采用磷酸溶液進行濕法刻蝕，且所述磷酸溶的質量分數在80％～90％的范圍內，所述第三濕法刻蝕工藝的溫度在140℃～160℃。

11.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述介質層的材料為含氮的氧化硅。

12.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述阻擋層的材料為氧化硅。

13.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述阻擋層的厚度在30埃～50埃的范圍內。

14.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述硬掩膜層的材料為氮化硅或氮氧化硅。

15.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述硬掩膜層的厚度在50埃～100埃的范圍內。

16.一種半導體結構，其特征在于，包括：

基底；

位于所述基底上的介質層，所述介質層含氮；

位于所述介質層上的硬掩膜層；

位于所述硬掩膜層上的阻擋層；

位于所述阻擋層上的第二光阻圖形層；所述第二光阻圖形層是針對第一光阻圖形層重做而形成的。