[發(fā)明專利]改善動態(tài)隨機存儲器行錘現(xiàn)象的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710201850.1
• 申請日: 2017-03-30
• 公開（公告）號: CN108666313B
• 公開（公告）日: 2021-01-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 永井享浩
• 申請（專利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司;福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包含有：

半導(dǎo)體基底，具有第一導(dǎo)電型及第一摻雜濃度；

主動區(qū)域，位于該半導(dǎo)體基底上，其中該主動區(qū)域的一長軸沿著一第一方向延伸；

溝槽絕緣結(jié)構(gòu)，鄰接該主動區(qū)域的一端面；

埋入字符線的溝槽，位于該主動區(qū)域中；

通過柵極，埋設(shè)于該溝槽絕緣結(jié)構(gòu)內(nèi)，其中該通過柵極沿著一第二方向延伸，且該第二方向不平行于該第一方向；以及

區(qū)域摻雜區(qū)，具有第二導(dǎo)電型及第二摻雜濃度，設(shè)于該主動區(qū)域的該端面上并且不接觸該埋入字符線的溝槽。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該第一導(dǎo)電型是P型，該第二導(dǎo)電型是P型。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該區(qū)域摻雜區(qū)是摻雜銦。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該第二摻雜濃度介于1E18～5E19atoms/cm³。

5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該第二摻雜濃度大于該第一摻雜濃度。

6.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該第二摻雜濃度小于該第一摻雜濃度。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該第一摻雜濃度介于1E18～2E19atoms/cm³。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該第一導(dǎo)電型是P型，該第二導(dǎo)電型是N型。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該區(qū)域摻雜區(qū)是摻雜砷。

10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該第二摻雜濃度介于1E18～5E19atoms/cm³。

11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該區(qū)域摻雜區(qū)僅在該端面的一第一深度與一第二深度之間延伸，且正對該通過柵極。

12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該第一深度為該第二深度為

13.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該溝槽絕緣結(jié)構(gòu)包含硅氧層，介于該區(qū)域摻雜區(qū)與該通過柵極之間。

14.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，包含有：

提供一半導(dǎo)體基底，具有一第一導(dǎo)電型；

在該半導(dǎo)體基底上形成至少一主動區(qū)域，其中該主動區(qū)域的一長軸沿著一第一方向延伸；

進行一第一斜角度離子注入制作工藝，于該主動區(qū)域的一端面上的一第一深度以上形成一第一摻雜區(qū)，具有一第二導(dǎo)電型；

進行一第二斜角度離子注入制作工藝，在該主動區(qū)域的該端面上的一第二深度以上形成一第二摻雜區(qū)，具有一第三導(dǎo)電型，其中該第三導(dǎo)電型與該第二導(dǎo)電型互為相反電性，如此于該第一深度與該第二深度之間構(gòu)成一具有該第二導(dǎo)電型的區(qū)域摻雜區(qū)；以及

在該主動區(qū)域周圍形成一溝槽絕緣結(jié)構(gòu)，鄰接該主動區(qū)域的該端面。

15.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其中該第一斜角度離子注入制作工藝與該第二斜角度離子注入制作工藝的離子注入方向均為平行該第一方向。

16.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其中該第一斜角度離子注入制作工藝是以一第一注入角度進行離子注入，該第二斜角度離子注入制作工藝是以一第二注入角度進行離子注入，其中該第一注入角度大于該第二注入角度。

17.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其中該第一注入角度為40°，而該第二注入角度為29°。