[發明專利]一種直接調制激光器在審
| 申請號: | 201710201713.8 | 申請日: | 2017-03-30 |
| 公開(公告)號: | CN106877167A | 公開(公告)日: | 2017-06-20 |
| 發明(設計)人: | 孫全意;薛賢銓 | 申請(專利權)人: | 廈門市芯諾通訊科技有限公司 |
| 主分類號: | H01S5/024 | 分類號: | H01S5/024;H01S5/02 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 361000 福建省廈門市中國(福建*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 直接 調制 激光器 | ||
技術領域
本發明涉及一種光通信器件,具體是一種直接調制激光器。
背景技術
半導體激光器是光纖通信中的光源器件,具有電光直接轉換、響應速度快、體積小、壽命長等特點。半導體激光器信號的調制方式主要有直接調制激光器(DFB激光器)和外調制激光器(EML激光器)兩種。
直接調制激光器是指通過改變輸入電流來調制激光器的輸出。直接調制激光器(DFB激光器)由于具有動態單模、響應速度快的特點,已經成為光纖通信中的主要光源;但其調制電流會引起有源層折射率的變化,導致光的相位受到調制,從而使工作頻率展寬;且目前大部分DFB激光器都沒有進行溫度控制,產生啁啾(Chirp)效應,難以實現波分復用達到長距傳輸。部分DFB激光器封裝成受溫度控制激光器,但局限于殼體封裝,成本比較高。此外,EA激光器傳輸性能更優于DFB激光器,但是由于受EA芯片的限制,成本一直比較高,且EML激光器芯片一直受國外芯片公司的壟斷,價格昂貴,這都為人們的使用帶來了不便。
發明內容
本發明的目的在于提供一種直接調制激光器,以解決上述背景技術中提出的問題。
為實現上述目的,本發明提供如下技術方案:
一種直接調制激光器,包括TO管座、TO管帽、熱電制冷器、激光芯片熱沉、激光器芯片、背光監控芯片、探測芯片熱沉和基板,熱電制冷器安裝在TO管座上并且置于基板的下方,基板的上方布置有熱敏電阻、激光芯片熱沉和探測芯片熱沉,激光器芯片安裝在激光芯片熱沉上,背光監控芯片安裝在探測芯片熱沉上,TO管帽位于最上部并且TO管座、TO管帽和激光器芯片同軸安裝。
作為本發明進一步的方案:背光監控芯片的貼裝與激光器芯片成固定角度,所成角度為7°±1°。
作為本發明再進一步的方案:熱電制冷器通過環氧膠貼裝到TO管座上。
作為本發明再進一步的方案:激光器芯片通過金硒焊料貼裝到激光芯片熱沉上。
作為本發明再進一步的方案:激光器芯片和激光芯片熱沉在金線鍵合時采用多線平等鍵合。
作為本發明再進一步的方案:基板采用鎢銅基板,熱敏電阻和背光監控芯片均采用環氧膠貼裝在基板上。
所述直接調制激光器的制作方法,具體步驟如下:
步驟一,熱電制冷器通過環氧膠貼裝到TO管座上,激光器芯片通過金錫焊料貼裝到激光芯片熱沉上;
步驟二,熱敏電阻、背光監控芯片均用環氧膠進行貼裝到基板上;
步驟三,將基板通過銀膠粘貼到熱電制冷器上;
步驟四,將TO管帽焊接到TO管座上,完成封帽。
與現有技術相比,本發明的有益效果是:本產品將熱電制冷器封裝于內部,該熱電制冷器低功耗且溫度穩定,且其能對該激光器的溫度進行精準控制,由此有效抑制啁啾,實現了DFB激光器的波分復用;本產品采用了同軸封裝,體積小,成本低,可大量應用在長途干線網絡中;本產品中激光器芯片發出的光直接通過自匯聚透鏡發出,管帽外面不需要增加二次透鏡,可直接應用在TOSA,PON TO 上面;以往的TO采用全反片把光路折射上去,實現光路的向上發射,本產品采用垂直貼裝方式,省去全反玻片,可以降低成本。
附圖說明
圖1為直接調制激光器的結構示意圖。
其中:1-TO管座,2-熱電制冷器,3-熱敏電阻,4-TO管帽,5-激光芯片熱沉,6-激光器芯片,7-背光監控芯片,8-探測芯片熱沉,9-基板。
具體實施方式
下面結合具體實施方式對本專利的技術方案作進一步詳細地說明。
請參閱圖1,一種直接調制激光器,包括TO管座1、TO管帽4、熱電制冷器2、激光芯片熱沉5、激光器芯片6、背光監控芯片7、探測芯片熱沉8和基板9,熱電制冷器2安裝在TO管座1上并且置于基板9的下方,基板9的上方布置有熱敏電阻3、激光芯片熱沉5和探測芯片熱沉8,激光器芯片6安裝在激光芯片熱沉5上,背光監控芯片7安裝在探測芯片熱沉8上,TO管帽4位于最上部并且TO管座1、TO管帽4和激光器芯片6同軸安裝。背光監控芯片7的貼裝與激光器芯片6成固定角度,所成角度為7°±1°,以便得到最佳的背光電流,也不會引起光的反射。熱電制冷器2通過環氧膠貼裝到TO管座1上。激光器芯片6通過金硒焊料貼裝到激光芯片熱沉5上。激光器芯片6和激光芯片熱沉5在金線鍵合時采用多線平等鍵合,以達到減少電感,提高頻率傳輸性能。基板9采用鎢銅基板,熱敏電阻3和背光監控芯片7均采用環氧膠貼裝在基板9上。激光器芯片6的鐳射線同軸于TO管座1中心,以便得到更好的耦合效率。
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