[發明專利]存儲器控制器的操作方法

有效

• 申請號: 201710201596.5
• 申請日: 2017-03-30
• 公開（公告）號: CN107403639B
• 公開（公告）日: 2020-12-11
• 發明（設計）人: 李俊鎬;張實完;崔賢鎮;咸東勛
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C16/08
• 分類號: G11C16/08;G11C16/10;G06F13/16
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 張帆;崔卿虎

本發明提供了一種存儲器控制器的操作方法，所述存儲器控制器配置為控制非易失性存儲器裝置執行刷新讀操作、檢測非易失性存儲器裝置的上電狀態或斷電狀態以及發出刷新讀命令。控制接收到刷新讀命令的非易失性存儲器裝置以針對多個存儲塊中的每一個執行一次刷新讀操作，所述刷新讀操作包括對多條字線之一的讀操作。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2016年5月19日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請No.10-2016-0061431的優先權，其公開內容以引用方式全文合并于此。

技術領域

本公開涉及一種半導體裝置，更具體地，涉及一種操作存儲器控制器的方法，該存儲器控制器控制非易失性存儲器裝置執行刷新讀操作以防止數據劣化。

背景技術

為了提高半導體存儲器裝置的集成度，已經對具有3維(3D)結構的半導體存儲器裝置進行了研究。3D半導體存儲器裝置具有與2D半導體存儲器裝置不同的結構特點。由于3D半導體存儲器裝置與2D半導體存儲器裝置之間的結構差異，已經研究了驅動3D半導體存儲器裝置的各種方法。

3D非易失性存儲器裝置具有即使在不向其供應電力時也保持數據的特點。然而，由于存儲在存儲單元中的電荷隨時間損失，因此非易失性存儲器裝置的存儲單元會喪失對數據的保持。因此，需要一種防止非易失性存儲器裝置的數據退化的方法。

發明內容

本公開提供了一種操作存儲器控制器的方法，其通過由非易失性存儲器裝置執行的刷新讀操作來防止數據退化。

本公開還提供了一種執行刷新讀操作的非易失性存儲器裝置。

本公開還提供了一種對基于非易失性存儲器裝置且支持串行高 級技術附件(SATA)接口的數據存儲裝置進行操作的方法。

根據本公開的一個方面，提供了一種配置為控制非易失性存儲器裝置的存儲器控制器的操作方法，所述非易失性存儲器裝置具有多個存儲塊，每個存儲塊包括連接至多條字線的多個存儲單元。所述操作方法包括：檢測所述非易失性存儲器裝置的上電狀態并發出刷新讀命令。控制接收到刷新讀命令的非易失性存儲器裝置的多個存儲塊中的每一個對所述多條字線之一執行一次刷新讀操作，所述刷新讀操作包括讀操作。

根據本公開的另一方面，提供了一種配置為控制非易失性存儲器裝置的存儲器控制器的操作方法，所述非易失性存儲器裝置包括具有連接至多條字線的多個存儲單元的多個存儲塊。所述操作方法包括：檢測所述非易失性存儲器裝置的斷電狀態并發出刷新讀命令。控制接收到刷新讀命令的非易失性存儲器裝置的多個存儲塊中的每一個對所述多條字線之一執行一次進行了讀操作的刷新讀操作。

根據本公開的另一方面，提供了一種配置為控制非易失性存儲器裝置的存儲器控制器的操作方法，所述非易失性存儲器裝置具有包括連接至多條字線的多個存儲單元的多個存儲塊。所述操作方法包括：在所述非易失性存儲器裝置上電之后，以刷新讀間隔發出刷新讀命令。控制接收到刷新讀命令的非易失性存儲器裝置的多個存儲塊在刷新讀間隔期間順序地執行刷新讀操作。控制所述多個存儲塊中的每一個執行一次刷新讀操作，所述刷新讀操作包括對所述多條字線之一執行讀操作。

根據本公開的另一方面，提供了一種包括具有多個存儲塊的存儲單元陣列的非易失性存儲器裝置。每個存儲塊包括連接至多條字線的多個存儲單元。控制邏輯構造為：響應于刷新讀命令針對所述多個存儲塊中的每一個選擇所述多條字線之一，并且執行一次包括對所選擇的字線進行讀操作的刷新讀操作。頁緩沖器連接至多個存儲塊的多條位線，并且配置為確定并存儲多條位線的電壓電平。