[發明專利]非晶質硅膜的形成方法

有效

• 申請號: 201710201313.7
• 申請日: 2017-03-30
• 公開（公告）號: CN107768244B
• 公開（公告）日: 2021-08-13
• 發明（設計）人: 崔暎喆
• 申請（專利權）人: 圓益IPS股份有限公司
• 主分類號: H01L21/3205
• 分類號: H01L21/3205
• 代理公司: 北京青松知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11384
• 代理人: 鄭青松

1.一種非晶質硅膜的形成方法，其特征在于，包括：

沉積步驟，在腔室內的基板上的下部膜上沉積非晶質硅膜；

后處理步驟，通過等離子體激活后處理氣體，在所述腔室內所述非晶質硅膜上部表面部執行后處理，所述后處理氣體為氮基和氧基，從而對所述非晶質硅膜的上部界面提供氧化和氮化效果；

凈化步驟，供給凈化氣體至所述腔室內；及

抽吸步驟，抽吸所述腔室，

其中，所述后處理氣體由氮氣和一氧化二氮構成，從而改善所述非晶質硅膜與所述下部膜的蝕刻選擇比特性。

2.根據權利要求1所述的非晶質硅膜的形成方法，其特征在于，

所述后處理步驟包括如下的步驟：

在所述非晶質硅膜的上部表面部上形成氮基和氧基中至少任意一種成分含量相對更多的區域。

3.根據權利要求1所述的非晶質硅膜的形成方法，其特征在于，

所述非晶質硅膜沉積步驟包括如下的步驟：

將硅烷Si_xH_y系的甲、乙、丙硅烷氣體作為反應氣體供給于所述基板上，并且利用等離子體增強化學氣相沉積法沉積非晶質硅膜。