[發(fā)明專利]太陽能電池減反鈍化膜及其制備方法及太陽能電池片

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710200935.8
• 申請日: 2017-03-30
• 公開（公告）號: CN107068774A
• 公開（公告）日: 2017-08-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳曉玉;趙有文
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/18
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司11021
• 代理人: 任巖

1.一種太陽能電池減反鈍化膜，其特征在于，包括：

第一層，形成于硅片襯底上，所述第一層為SiOx層；

第二層，形成于所述第一層上，所述第二層為SiNx層；

第三層，形成于所述第二層上，所述第三層為SiONx層；

第四層，形成于所述第三層上，所述第四層為SiOx層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池減反鈍化膜，其特征在于，所述第一層的折射率為1.6～2.3，所述第二層的折射率為1.9～2.3，所述第三層的折射率為1.9～2.1，所述第四層的折射率為1.4～1.6。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池減反鈍化膜，其特征在于，所述第一層的膜厚為2～10nm，所述第二層的膜厚為45～55nm，所述第三層的膜厚為5～20nm，所述第四層的膜厚為15～35nm。

4.一種權(quán)利要求1-3任一項所述的太陽能電池減反鈍化膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1：在硅片襯底的正面形成第一層；

S2：在所述第一層上形成第二層；

S3：在所述第二層上形成第三層；

S4：在所述第三層上形成第四層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述第一層、所述第二層、所述第三層、以及所述第四層的形成均采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法PECVD沉積而成。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，在步驟S1中，射頻功率為1300～2000W，管內(nèi)壓強(qiáng)為190～230Pa，沉積時間為60～65s，通入反應(yīng)氣體N₂O/SiH₄流量比為4.3～4.7。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，在步驟S2中，射頻功率為2200～4000W，管內(nèi)壓強(qiáng)為200～260Pa，沉積時間360～400s，通入反應(yīng)氣體NH₃/SiH₄流量比為10～11。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，在步驟S3中，射頻功率為1700～2700W，管內(nèi)壓強(qiáng)為180～230Pa，沉積時間為160～200s，通入反應(yīng)氣體NH₃：N₂O：SiH₄流量比為(5～5.3):(5～5.3):1。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，在步驟S4中，射頻功率為1300～2000W，管內(nèi)壓強(qiáng)為170～220Pa，沉積時間為150～240s，通入反應(yīng)氣體N₂O/SiH₄流量比為8.5～13。

10.一種太陽能電池片，其特征在于，包括權(quán)利要求1-3任一項所述的太陽能電池減反鈍化膜。