[發明專利]復合涂層手術剪及其制備方法

在審

• 申請號: 201710199211.6
• 申請日: 2017-03-29
• 公開（公告）號: CN107058938A
• 公開（公告）日: 2017-08-18
• 發明（設計）人: 黃世偉;沈學忠;袁安素;朱國朝;溫振偉
• 申請（專利權）人: 納獅新材料股份有限公司;嘉興奧德納米技術有限公司
• 主分類號: C23C8/36
• 分類號: C23C8/36;C23C14/06;C23C28/04;A61L31/08;A61L31/14;A61L31/16
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司11287
• 代理人: 沈錦華

1.一種復合涂層手術剪，其包括：手術剪；所述手術剪的表面依次附著滲氮層、物理氣相沉積PVD涂層和抗菌納米粒子改性的PVD涂層，其中所述PVD涂層為包括AlCrN、CrAlN、CrN、TiN、AlTiN、TiAlN、TiAlCrN、TiSiN、TiSiAlN、TiAlWN或其混合物的納米硬質涂層。

2.根據權利要求1所述的復合涂層手術剪，其中所述抗菌納米粒子包括銀納米粒子、銅納米粒子或其混合物。

3.根據權利要求1或2所述的復合涂層手術剪，其中所述抗菌納米粒子在所述抗菌納米粒子改性的PVD涂層中的原子百分比為0.1％-25％。

4.根據權利要求1或2所述的復合涂層手術剪，其中所述抗菌納米粒子的粒徑為1nm-100nm。

5.根據權利要求1或2所述的復合涂層手術剪，其中所述PVD涂層的厚度為1μm-15μm，表面硬度為1500HV-5000HV。

6.根據權利要求1或2所述的復合涂層手術剪，其中所述抗菌納米粒子改性的PVD涂層的厚度為1μm-15μm。

7.根據權利要求1或2所述的復合涂層手術剪，其中所述滲氮層的厚度為0.01mm-0.5mm。

8.一種復合涂層手術剪的制備方法，其包括如下步驟：

提供手術剪；對所述手術剪進行離子滲氮處理以在所述手術剪的表面形成滲氮層；

采用物理氣相沉積PVD工藝在所述滲氮層的表面沉積包括AlCrN、CrAlN、CrN、TiN、AlTiN、TiAlN、TiAlCrN、TiSiN、TiSiAlN、TiAlWN或其混合物的納米硬質涂層以形成PVD涂層；

將抗菌納米粒子導入物理氣相沉積PVD工藝爐中，采用物理氣相沉積PVD工藝在所述PVD涂層的表面形成抗菌納米粒子改性的PVD涂層。

9.根據權利要求8所述的復合涂層手術剪的制備方法，其中所述抗菌納米粒子包括銀納米粒子、銅納米粒子或其混合物。

10.根據權利要求8或9所述的復合涂層手術剪的制備方法，其中所述抗菌納米粒子在所述抗菌納米粒子改性的PVD涂層中的原子百分比為0.1％-25％。

11.根據權利要求8或9所述的復合涂層手術剪的制備方法，其中所述抗菌納米粒子的粒徑為1nm-100nm。

12.根據權利要求8或9所述的復合涂層手術剪的制備方法，其中采用PVD工藝形成所述PVD涂層的步驟包括：首先通入純度為99.999％的氬氣，在偏壓為800-1000V的條件下清潔所述滲氮層的表面；然后停止通入氬氣，通入純度為99.999％的氮氣，在偏壓為80-100V的條件下，打開包含用于組成所述PVD涂層的金屬的靶，弧電流為120A-200A，采用PVD工藝在清潔后的所述滲氮層的表面沉積形成所述PVD涂層。

13.根據權利要求8或9所述的復合涂層手術剪的制備方法，其中采用PVD工藝形成所述抗菌納米粒子改性的PVD涂層的步驟包括：繼續通入純度為99.999％的氮氣，在偏壓為80-100V的條件下，保持包含用于組成所述PVD涂層的金屬的靶的開啟狀態，同時導入所述抗菌納米粒子，弧電流為120A-200A，采用PVD工藝在所述PVD涂層的表面沉積形成所述抗菌納米粒子改性的PVD涂層。