[發(fā)明專(zhuān)利]一種低溫磁控濺射制備低電阻率氮化鈦薄膜的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710198901.X
• 申請(qǐng)日: 2017-03-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107058962A
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-08-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 盧乾波;葉輝;白劍;陳超楠
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 浙江大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): C23C14/35
• 分類(lèi)號(hào): C23C14/35;C23C14/06
• 代理公司: 杭州求是專(zhuān)利事務(wù)所有限公司33200
• 代理人: 林超

1.一種低溫磁控濺射制備低阻氮化鈦薄膜方法，其特征在于具體步驟如下：

1)采用單面拋光的基片作為襯底，選用超高真空磁控濺射設(shè)備，將經(jīng)過(guò)RCA標(biāo)準(zhǔn)清洗的基片放置于加熱臺(tái)面上，調(diào)整基片與靶材之間的距離；

2)蓋上真空腔蓋，抽取本底真空，通入氮?dú)夂蜌鍤?，選取直流磁控濺射模式，進(jìn)行磁控濺射；

3)磁控濺射后，停止通入氮?dú)夂蜌鍤?，關(guān)閉分子泵，待降溫至100至150度，關(guān)閉機(jī)械泵，打開(kāi)放氣閥，待加熱臺(tái)面溫度降至常溫時(shí)取出樣品，獲得所述低阻氮化鈦薄膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低溫磁控濺射制備低阻氮化鈦薄膜方法，其特征在于：所述步驟2)進(jìn)行磁控濺射時(shí)調(diào)整濺射功率、工作電壓、腔內(nèi)真空度、濺射薄膜時(shí)的溫度以及氮?dú)鈿鍤饬髁勘壤涂偭髁渴沟米罱K制成所述低阻氮化鈦薄膜，并通過(guò)控制濺射功率和濺射時(shí)間控制薄膜的厚度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低溫磁控濺射制備低阻氮化鈦薄膜方法，其特征在于：所述低阻氮化鈦薄膜的電阻率小于50μohm/cm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低溫磁控濺射制備低阻氮化鈦薄膜方法，其特征在于：所述的基片采用單晶硅片或者玻璃片。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低溫磁控濺射制備低阻氮化鈦薄膜方法，其特征在于：所述靶材為金屬鈦，純度為99.999％。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低溫磁控濺射制備低阻氮化鈦薄膜方法，其特征在于：所述步驟2)中本底真空度為1×10^-5Pa。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低溫磁控濺射制備低阻氮化鈦薄膜方法，其特征在于：所述步驟2)通入的氮?dú)饬髁亢蜌鍤饬髁勘葹?：6，氮?dú)饬髁繛?0sccm，氬氣流量為30sccm，總流量為50sccm，并且真空腔內(nèi)保持6×10^-2Pa的真空度。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低溫磁控濺射制備低阻氮化鈦薄膜方法，其特征在于：所述步驟2)磁控濺射時(shí)基片溫度在400-450攝氏度范圍。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低溫磁控濺射制備低阻氮化鈦薄膜方法，其特征在于：所述步驟2)磁控濺射時(shí)濺射功率為80到120W，工作電壓為250到350V。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低溫磁控濺射制備低阻氮化鈦薄膜方法，其特征在于：所述步驟2)在進(jìn)行磁控濺射前，對(duì)靶材進(jìn)行預(yù)濺射，功率為100W，時(shí)長(zhǎng)為10分鐘。