[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲器件及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710197984.0
• 申請日: 2017-03-29
• 公開（公告）號: CN106992175B
• 公開（公告）日: 2018-03-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 不公告發(fā)明人
• 申請（專利權(quán)）人: 睿力集成電路有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙)31219
• 代理人: 羅泳文

1.一種半導(dǎo)體存儲器件的制作方法，其特征在于，包括步驟：

步驟1)，提供一半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有有源區(qū)、字線以及鰭狀的位線，相鄰的至少兩個所述字線與其中至少一所述位線交錯排列，所述位線上具有第一絕緣層以及第二絕緣層，所述第二絕緣層包覆所述位線及所述第一絕緣層，所述位線之間填充有隔離材料；

步驟2)，于沿字線方向且經(jīng)過所述有源區(qū)的條形區(qū)域內(nèi)定義出接觸窗區(qū)域以及局部重疊所述位線的所述第一絕緣層及所述第二絕緣層上的缺口區(qū)域，去除所述接觸窗區(qū)域內(nèi)的隔離材料以形成接觸窗，并去除所述缺口區(qū)域內(nèi)的部分所述第一絕緣層及所述第二絕緣層以形成第一缺口與第二缺口，其中，所述第一缺口與所述第二缺口分別位于相鄰的兩個條形區(qū)域內(nèi)的其中至少一所述位線上，所述第一缺口與所述第二缺口具有沿字線方向且互為相反的缺口朝向；

步驟3)，于所述第一缺口及其連通的所述接觸窗內(nèi)與所述第二缺口及其連通的所述接觸窗內(nèi)填充導(dǎo)電材料并平坦化至露出所述第一絕緣層；

步驟4)，刻蝕所述導(dǎo)電材料使其低于所述第二絕緣層的頂面；

步驟5)，于所述導(dǎo)電材料、所述隔離材料、所述第一絕緣層及所述第二絕緣層之上沉積絕緣材料，位于所述導(dǎo)電材料側(cè)邊且連接所述第一絕緣層及所述第二絕緣層的所述絕緣材料的厚度大于位于所述導(dǎo)電材料中部的所述絕緣材料的厚度；以及

步驟6)，刻蝕所述絕緣材料，直到位于所述導(dǎo)電材料中部的絕緣材料被去除以形成電容器的接觸墊窗口，而位于所述導(dǎo)電材料側(cè)邊的絕緣材料被部分保留以形成接觸墊側(cè)壁絕緣層，所述接觸墊窗口呈六方陣列排布，并且所述接觸墊窗口的開口尺寸位置是受到所述接觸墊側(cè)壁絕緣層的限制。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器件的制作方法，其特征在于，步驟2)包括：

步驟2-1)，于所述半導(dǎo)體襯底上形成掩膜及光刻材料層，通過一次光刻工藝同時于所述光刻材料層中制作出接觸窗窗口及缺口窗口，并將包含所述接觸窗窗口及所述缺口窗口的圖形轉(zhuǎn)移至所述掩膜；以及

步驟2-2)，刻蝕所述隔離材料至所述半導(dǎo)體襯底表面形成所述接觸窗，同時刻蝕去除部分的所述第二絕緣層以及部分的所述第一絕緣層以形成所述第一缺口與所述第二缺口，其中，所述刻蝕對所述隔離材料的刻蝕速率大于對所述第一絕緣層的刻蝕速率且大于所述第二絕緣層的刻蝕速率。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器件的制作方法，其特征在于：步驟2)包括：

步驟2-1)，于所述半導(dǎo)體襯底上形成第一掩膜及第一光刻材料層，通過第一光刻工藝于所述第一光刻材料層中制作出接觸窗窗口，并進行刻蝕將所述接觸窗窗口圖形轉(zhuǎn)移至所述第一掩膜；

步驟2-2)，于所述第一掩膜上形成第二掩膜及第二光刻材料層，通過第二光刻工藝于所述第二光刻材料層中制作出缺口窗口，并將所述缺口窗口圖形轉(zhuǎn)移至所述第二掩膜及第一掩膜；以及

步驟2-3)，刻蝕所述隔離材料至所述半導(dǎo)體襯底表面形成所述接觸窗，同時刻蝕去除部分的所述第二絕緣層以及部分的所述第一絕緣層以形成所述第一缺口與所述第二缺口，其中，所述刻蝕對所述隔離材料的刻蝕速率大于對所述第一絕緣層的刻蝕速率且大于所述第二絕緣層的刻蝕速率。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器件的制作方法，其特征在于：步驟2)中，所述第一缺口與所述第二缺口的任一深度不超過由所述位線、所述第一絕緣層及所述第二絕緣層所組成的高度的70％。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器件的制作方法，其特征在于：所述第一缺口與所述第二缺口的任一寬度與由所述第一絕緣層及所述第二絕緣層所組成的寬度比為介于0.2:1～0.8:1。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器件的制作方法，其特征在于：步驟5)中，所述絕緣材料沉積完成后，位于所述導(dǎo)電材料上的所述絕緣材料的頂面為不高于所述第一絕緣層及所述第二絕緣層的頂面。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項所述的半導(dǎo)體存儲器件的制作方法，其特征在于：進一步包括：

于所述接觸墊窗口上制作電容器，所述電容器呈六方陣列排布。