[發明專利]集成電子器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201710197884.8
• 申請日: 2017-03-29
• 公開（公告）號: CN107785369B
• 公開（公告）日: 2022-04-15
• 發明（設計）人: M·薩姆比;F·F·R·托亞;M·馬徹西;M·莫里利;R·德佩特羅;G·巴里拉羅;L·M·斯特拉姆比尼
• 申請（專利權）人: 意法半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06;H01L29/861;H01L29/78;H01L21/8249
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種集成電子器件，所述集成電子器件包括半導體本體，所述集成電子器件包括：

-第一電極區域，所述第一電極區域具有第一導電類型；以及

-第二電極區域，所述第二電極區域具有第二導電類型，所述第二電極區域與所述第一電極區域形成結；

所述集成電子器件進一步包括納米結構半導體區域，所述納米結構半導體區域在所述第一電極區域和所述第二電極區域之一中延伸，其中：

所述半導體本體由前表面來界定；

所述第一電極區域形成向外朝向所述前表面的MOSFET的本體區域；

所述第二電極區域形成向外朝向所述前表面的所述MOSFET的第一導電區域，所述第一導電區域是漏極區域或源極區域。

2.根據權利要求1所述的器件，其中，所述第一和第二電極區域分別具有第一最小摻雜水平和第二最小摻雜水平，所述第二最小摻雜水平低于所述第一最小摻雜水平；并且其中，所述納米結構半導體區域在所述第二電極區域中延伸。

3.根據權利要求2所述的器件，其中，所述第二電極區域至少包括：

-第一子區域，所述第一子區域安排在距所述第一電極區域一定距離處；以及

-第二子區域，所述第二子區域安排在所述第一子區域與所述第一電極區域之間并且接觸所述第一子區域和所述第一電極區域，所述第二子區域具有等于所述第二最小摻雜水平的摻雜水平；

并且其中，所述納米結構半導體區域至少部分地在所述第二子區域內延伸。

4.根據權利要求3所述的器件，其中，所述納米結構半導體區域完全在所述第二子區域內延伸。

5.根據權利要求1-4中任一項所述的器件，包括：采用電介質材料的絕緣區域，所述絕緣區域在所述第二電極區域內延伸并且相對于所述第一電極區域而橫向交錯；并且其中，所述納米結構半導體區域在所述絕緣區域之下與其直接接觸地延伸。

6.根據權利要求5所述的器件，其中所述MOSFET包括：

第二導電區域，與所述本體區域鄰近，所述第二導電區域是漏極區域或源極區域；

導電柵極；以及

柵極電介質，被定位在所述導電柵極和所述本體區域之間。

7.根據權利要求5所述的器件，其中所述絕緣區域安排在所述本體區域與所述第一導電區域之間。

8.一種用于制造集成電子器件的方法，所述方法包括形成半導體本體的步驟，所述形成半導體本體的步驟包括：

-形成第一電極區域，所述第一電極區域具有第一導電類型；以及

-形成第二電極區域，所述第二電極區域具有第二導電類型，從而使得其將與所述第一電極區域形成結；

所述方法進一步包括以下步驟：形成納米結構半導體區域，從而使得其將在所述第一和第二電極區域之一中延伸，以及形成采用電介質材料的絕緣區域，所述絕緣區域在所述第二電極區域中延伸、并且相對于所述第一電極區域而橫向交錯。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，所述形成第一電極區域和第二電極區域的步驟為使得所述第一和第二電極區域分別具有第一最小摻雜水平和第二最小摻雜水平，所述第二最小摻雜水平低于所述第一最小摻雜水平；并且其中，所述形成納米結構半導體區域的步驟為使得所述納米結構半導體區域在所述第二電極區域中延伸。

10.根據權利要求8所述的方法，其中所述形成納米結構半導體區域的步驟包括：形成所述納米結構半導體區域，從而使得其將在所述絕緣區域之下與其直接接觸地延伸。