[發明專利]薄膜晶體管和顯示基板及其制作方法、顯示裝置

在審

• 申請號: 201710197332.7
• 申請日: 2017-03-29
• 公開（公告）號: CN108666218A
• 公開（公告）日: 2018-10-16
• 發明（設計）人: 舒適;徐傳祥;羅騰;谷豐;張斌
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28;H01L29/786;H01L29/417;H01L27/12;H01L27/32;G02F1/1362
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;劉偉

1.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括：

在一基底上依次形成半導體層和源漏金屬層；

對所述半導體層和源漏金屬層進行一次構圖工藝，形成薄膜晶體管的有源層、源電極和漏電極。

2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，還包括：

依次形成覆蓋有源層、源電極和漏電極的柵絕緣層和層間絕緣層；

對所述層間絕緣層進行構圖工藝，在所述層間絕緣層中形成一第一窗口，露出柵絕緣層；

在所述第一窗口中形成柵電極，所述柵電極在所述基底上的正投影位于所述有源層在所述基底上的正投影內。

3.根據權利要求2所述的制作方法，其特征在于，在依次形成半導體層和源漏金屬層的步驟之前，所述制作方法還包括：

在所述基底上形成圖案化的遮光層，所述有源層在所述基底上的正投影位于所述遮光層在所述基底上的正投影中。

4.根據權利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法還包括：

在所述遮光層上形成緩沖層；

所述半導體層為多晶硅層，具體在所述緩沖層上形成非晶硅層，并對所述非晶硅層進行脫氫及準分子激光退火工藝形成所述多晶硅層。

5.一種顯示基板的制作方法，包括制備薄膜晶體管的步驟，其特征在于，采用權利要求1-4任一項所述的制作方法制備所述薄膜晶體管。

6.根據權利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法還包括：

在所述薄膜晶體管上形成鈍化層；

在所述鈍化層上形成透明導電層，對所述透明導電層進行構圖工藝形成像素電極和第一電極；

形成貫穿所述鈍化層、層間絕緣層和柵絕緣層的第一過孔和第二過孔，所述像素電極通過所述第一過孔與所述漏電極電性連接，所述第一電極通過所述第二過孔與所述源電極電性連接。

7.根據權利要求6所述的制作方法，其特征在于，在形成鈍化層的步驟之前，所述制作方法還包括：

在所述薄膜晶體管上形成有機絕緣層的圖形，所述有機絕緣層中具有一第二窗口，露出所述薄膜晶體管的源電極所在區域的至少一部分和漏電極所在區域的至少一部分；

在所述有機絕緣層和鈍化層之間形成公共電極。

8.一種薄膜晶體管，包括設置在一基底上的有源層、源電極和漏電極，其特征在于，所述源電極和漏電極接觸設置在所述有源層的背離所述基底的表面上，且所述源電極和漏電極在所述基底上的正投影位于所述有源層在所述基底上的正投影中。

9.根據權利要求8所述的薄膜晶體管，其特征在于，還包括：

覆蓋所述有源層、源電極和漏電極的柵絕緣層；

設置在所述柵絕緣層上的層間絕緣層，所述層間絕緣層中具有一第一窗口，露出柵絕緣層；

柵電極，設置在所述第一窗口內，所述柵電極在所述基底上的正投影位于所述有源層在所述基底上的正投影內。

10.一種顯示基板，其特征在于，包括權利要求8或9所述的薄膜晶體管。

11.根據權利要求10所述的顯示基板，其特征在于，所述顯示基板還包括：

設置在所述薄膜晶體管上的鈍化層；

同層設置在所述鈍化層上的像素電極和第一電極，所述像素電極通過貫穿所述鈍化層、層間絕緣層和柵絕緣層的第一過孔與所述漏電極電性連接，所述第一電極通過貫穿所述鈍化層、層間絕緣層和柵絕緣層的第二過孔與所述源電極電性連接。

12.根據權利要求11所述的顯示基板，其特征在于，所述顯示基板還包括：

設置在所述薄膜晶體管上的有機絕緣層，所述鈍化層設置在所述有機絕緣層上，所述有機絕緣層中具有一第二窗口，露出所述薄膜晶體管的源電極所在區域的至少一部分和漏電極所在區域的至少一部分；

設置在所述有機絕緣層和鈍化層之間的公共電極。

13.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求10-12任一項所述的顯示基板。