[發明專利]半導體裝置的形成方法

有效

• 申請號: 201710197165.6
• 申請日: 2017-03-29
• 公開（公告）號: CN107342259B
• 公開（公告）日: 2022-11-18
• 發明（設計）人: 羅元彥;王之妤;陳俊華;謝弘璋
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 張福根;馮志云

技術領域

本發明實施例關于半導體裝置的形成方法，更特別關于形成不同深度的通孔。

背景技術

半導體集成電路產業已經歷快速成長。集成電路設計與材料的技術進展，使每一代的集成電路均比前一代具有更小且更復雜的電路。在集成電路的演進中，功能密度(單位晶片面積所具有的內連線裝置數目)通常隨著幾何尺寸(如最小構件或線路)減少而增加。

在小尺寸世代中，由于裝置尺寸越來越小且晶體管密度越來越大，金屬內連線對金屬柵極以及金屬對主動區的通孔越來越關鍵。上述領域需要改良。

發明內容

本發明一實施例提供的半導體裝置的形成方法，包括：沉積蝕刻停止層于基板上；圖案化蝕刻停止層，使圖案化的蝕刻停止層覆蓋第一區的基板，且圖案化的蝕刻停止層的開口露出第二區的基板；沉積第一介電層于第一區中的蝕刻停止層上以及第二區中的基板上；圖案化第一介電層，以形成第一溝槽穿過第一區中的第一介電層，且第一溝槽露出蝕刻停止層；形成金屬結構于第一溝槽中；沉積第二介電層于第一區中的金屬結構上以及第二區中的第一介電層上；以及進行圖案化工藝，以形成第二溝槽穿過第一區中的第二介電層，并形成第三溝槽穿過第二區中的第二介電層與第一介電層，且第二溝槽露出金屬結構。

附圖說明

圖1系一些實施例中，制作半導體裝置的方法其流程圖。

圖2系一些實施例中，初始結構的剖視圖。

圖2A系一些實施例中，圖2的部份上視圖。

圖3、4、5A、5B、6A、6B、7、8、9A、9B、10A、10B、11A、與11B系一些實施例中，半導體裝置的剖視圖。

圖7A系一些實施例中，第7圖的部份上視圖。

其中，附圖標記說明如下：

AA' 虛線

100 方法

102、104、106、108、110、112、114、116、118、120、122 步驟

200 半導體裝置

205 初始結構

210 基板

220 隔離結構

230A、230B、230C 第一導電結構

235 柵極硬遮罩

240 柵極間隔物

250 第二導電結構

260 第一介電層

270 第三導電結構

310 圖案化的蝕刻停止層

315 第一區

316 第二區

320 第二介電層

410 第一圖案化的硬遮罩

420 第一開口

430 第一溝槽

440 第二溝槽

505 介電材料層

510 介電間隔物

515 第一金屬層

520 第一金屬結構

520U 上方角落

530 第二金屬結構

610 第三介電層

625 第二開口

626 第三開口

630 第三溝槽

640 第四溝槽

710 第二金屬層

715 第三金屬結構

716 第四金屬結構

具體實施方式

下述內容提供的不同實施例或實例可實施本發明的不同結構。特定構件與排列的實施例系用以簡化本發明而非局限本發明。舉例來說，形成第一構件于第二構件上的敘述包含兩者直接接觸，或兩者之間隔有其他額外構件而非直接接觸。此外，本發明的多種例子中可重復標號及/或符號，但這些重復僅用以簡化與清楚說明，不代表不同實施例及/或設置之間具有相同標號及/或符號的單元之間具有相同的對應關系。

此外，空間性的相對用語如“下方”、“其下”、“較下方”、“上方”、“較上方”、或類似用語可用于簡化說明某一元件與另一元件在圖示中的相對關系。空間性的相對用語可延伸至以其他方向使用的元件，而非局限于圖示方向。元件亦可轉動90°或其他角度，因此方向性用語僅用以說明圖示中的方向。