[發明專利]等離子體處理裝置和等離子體處理方法有效
| 申請號: | 201710196398.4 | 申請日: | 2017-03-29 |
| 公開(公告)號: | CN107275179B | 公開(公告)日: | 2019-06-14 |
| 發明(設計)人: | 東條利洋;藤井祐希 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01J37/32 | 分類號: | H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 等離子體 處理 裝置 方法 | ||
1.一種等離子體處理裝置,其對被處理基板實施規定的等離子體處理,所述等離子體處理裝置的特征在于,包括:
用于收納被處理基板的處理容器;
對所述處理容器內供給處理氣體的氣體供給部;
配置在所述處理容器內的電極;
對所述電極供給脈沖調制后的高頻電力的高頻電源部;
以規定的周期測定從所述處理容器向所述高頻電源部返回的反射波功率的反射波功率測定部;和
判斷部,其在由所述反射波功率測定部所測定的所述反射波功率成為規定的條件時,判斷為在所述處理容器內有發生電弧放電的可能性或者實際上已經發生了電弧放電,
所述脈沖調制后的高頻電力的脈沖周期與所述反射波功率測定部中的測定周期不同。
2.一種等離子體處理裝置,其對被處理基板實施規定的等離子體處理,所述等離子體處理裝置的特征在于,包括:
用于收納被處理基板的處理容器;
對所述處理容器內供給處理氣體的氣體供給部;
在所述處理容器內生成等離子體的等離子體生成裝置;
用于載置配置在所述處理容器內的基板的基板載置臺;
對所述基板載置臺供給脈沖調制后的偏置用的高頻電力的高頻電源部;
以規定的周期測定從所述處理容器向所述高頻電源部返回的反射波功率的反射波功率測定部;和
判斷部,其在由所述反射波功率測定部測定的所述反射波功率成為規定的條件時,判斷為在所述處理容器內有發生電弧放電的可能性或者實際上已經發生了電弧放電,
所述脈沖調制后的高頻電力的脈沖周期與所述反射波功率測定部中的測定周期不同。
3.如權利要求2所述的等離子體處理裝置,其特征在于:
所述等離子體生成裝置包括:與所述基板載置臺相對設置的上部電極;和對該上部電極或者作為下部電極發揮作用的所述基板載置臺的任一者供給等離子體生成用的高頻電力的等離子體生成用高頻電源部,在所述上部電極與作為下部電極發揮作用的所述基板載置臺之間形成高頻電場,生成電容耦合等離子體。
4.如權利要求1~3中任一項所述的等離子體處理裝置,其特征在于:
所述判斷部中設定反射波功率的閾值,在由所述反射波功率測定部測定的反射波功率的值超過所述閾值的情況下,判斷為在所述處理容器內有發生電弧放電的可能性或者實際上已經發生了電弧放電。
5.如權利要求4所述的等離子體處理裝置,其特征在于:
還包括設定所述判斷部的閾值的閾值設定部,所述閾值設定部在開始高頻電力的供給時或者使輸出變化時將所述閾值設定為相對較高的值,在高頻電力的供給穩定之后將所述閾值設定為相對較低的值。
6.如權利要求4所述的等離子體處理裝置,其特征在于:
所述判斷部具有計數部,該計數部對判斷為所述反射波功率超過所述閾值的次數進行計數,當所述計數部的計數值超過規定的值時,判斷為在所述處理容器內有發生電弧放電的可能性或者實際上已經發生了電弧放電。
7.如權利要求6所述的等離子體處理裝置,其特征在于:
所述計數部在所述反射波功率沒有超過規定的值的情況下,使所述計數次數返回0。
8.如權利要求1~3中任一項所述的等離子體處理裝置,其特征在于:
還包括停止控制部,其在所述判斷部判斷為在所述處理容器內有發生電弧放電的可能性或者實際上已經發生了電弧放電時,輸出使高頻電力停止或者使裝置停止的信號。
9.如權利要求1~3中任一項所述的等離子體處理裝置,其特征在于:
所述反射波功率測定部的測定周期是可變的。
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