[發(fā)明專利]三維封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710196174.3 | 申請日: | 2017-03-29 |
| 公開(公告)號: | CN106960827A | 公開(公告)日: | 2017-07-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 黃子宵;黃衛(wèi)東 | 申請(專利權(quán))人: | 袁鷹 |
| 主分類號: | H01L23/31 | 分類號: | H01L23/31;H01L25/07;H01L21/56;B81C1/00 |
| 代理公司: | 北京匯信合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11335 | 代理人: | 孫民興,王維新 |
| 地址: | 200030*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 三維 封裝 結(jié)構(gòu) 及其 方法 | ||
1.一種三維封裝結(jié)構(gòu),包括下封裝體、金屬層框架和芯片,其特征在于:所述的芯片為集成電路芯片和/或微機電芯片,金屬層框架與芯片均設(shè)置于下封裝體上方,金屬層框架通過導(dǎo)電連接材料與下封裝體形成電連接,芯片放置于金屬層框架上表面或者下封裝體的上表面,芯片通過電連接機構(gòu)與金屬層框架形成電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述金屬層框架和/或芯片的全部或部分被塑封膠塑封。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的三維封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述的塑封后的塑封體具有中空的型腔結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的三維封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述的中空的型腔結(jié)構(gòu)內(nèi)設(shè)置有填充膠。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:該三維封裝結(jié)構(gòu)包含有置于上方的封合裝置或封合蓋。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述金屬層框架與下封裝體之間除所述導(dǎo)電連接材料外的縫隙部分被封合材料或者塑封膠填充。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述的金屬層框架可以通過預(yù)制成型的方法先得到,金屬層框架也可采用噴涂、濺射、電鍍或化學(xué)鍍的方法直接在下封裝體上方形成;下封裝體與金屬層框架實現(xiàn)無縫隙接觸。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述下封裝體中包含一個或多個集成電路芯片和/或微機電芯片和/或其他元器件。
9.一種基于權(quán)利要求1所述的三維封裝結(jié)構(gòu)封裝方法,其特征在于:包括如下步驟:
步驟1、制作包含金屬層框架的預(yù)塑封體(留有型腔);
步驟2、將預(yù)塑封體與已封裝好的下封裝體結(jié)合,形成預(yù)塑封體與下封裝體的電連接;
步驟3、在預(yù)塑封體型腔內(nèi)放置微機電芯片,并形成芯片與金屬層框架的電連接;
步驟4、在預(yù)塑封體型腔內(nèi)設(shè)置填充膠;
步驟5、在預(yù)塑封體型腔上方設(shè)置封合蓋,完成三維封裝。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于袁鷹,未經(jīng)袁鷹許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
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