[發明專利]一種內絕緣封裝結構及其制造工藝

在審

• 申請號: 201710195723.5
• 申請日: 2017-03-29
• 公開（公告）號: CN106935520A
• 公開（公告）日: 2017-07-07
• 發明（設計）人: 王亞琴;劉愷
• 申請（專利權）人: 江蘇長電科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L23/31;H01L23/367;H01L23/495
• 代理公司: 江陰市同盛專利事務所(普通合伙)32210
• 代理人: 周彩鈞

技術領域

本發明涉及一種內絕緣封裝結構及其制造工藝，屬于半導體封裝技術領域。

背景技術

由于大功率MOS管發熱量較大，而散熱效果的優劣可以直接影響MOS管及設備的穩定性，因此通常會在大功率MOS管背面貼裝散熱器以提高大功率三極管的散熱效率。然而，為保證其應用于高壓環境中的大功率MOS管的絕緣性能，需要在制造的過程中采用絕緣措施將引線框架與散熱器隔開。最常見的方法是把陶瓷片貼裝于引線框架與散熱器之間。這種絕緣措施有以下缺點：

1、陶瓷片的絕緣的絕緣性市場上優劣不等，需要繁瑣的檢驗流程確定其絕緣性；

2、陶瓷片裝片時如發生斜管將直接導致，芯片離載片臺的距離不等，絕緣效果也不等；

3、陶瓷片的制作流程繁瑣，市場價格昂貴。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是針對上述現有技術提供一種內絕緣封裝結構及其制造工藝，它能夠解決傳統陶瓷片絕緣價格昂貴的問題和絕緣性不可控的限制。

本發明解決上述問題所采用的技術方案為：一種內絕緣封裝結構，它包括引線框架，所述引線框架包括載片臺和引腳，所述載片臺上通過粘結物質或焊料設置有芯片，所述芯片通過焊線與引線框架的引腳電性連接，所述引線框架下方設置有散熱片，所述散熱片背面四周邊緣處設置有鎖膠臺階，所述引線框架、芯片、焊線和散熱片外圍均包封有塑封料，所述散熱片背面露出于塑封料之外。

所述載片臺上設置有V形槽，所述V形槽位于芯片外圍。

一種內絕緣封裝結構的制造工藝，所述工藝包括如下步驟：

步驟一、取一引線框架，引線框架包含載片臺和引腳；

步驟二、在步驟一引線框架的載片臺上涂覆粘結物質或焊料，然后在粘結物質或焊料上植入芯片；

步驟三、在芯片正面與引腳正面之間進行鍵合金屬線作業；

步驟四、提供一散熱片，散熱片背面設有鎖膠臺階；

步驟五、在散熱片上表面貼上ABF膜，并進行熱固化作業;

步驟六、預置散熱片至模具內，并將步驟三完成鍵合金屬線作業的引線框架放入模具中的散熱片上，使載片臺下表面與散熱片上表面的ABF膜貼合在一起；

步驟七、向模具內注入塑封料；

步驟八、將步驟七完成塑封的半成品進行切割或是沖切作業，使原本陣列式的塑封體切割或是沖切獨立開來，制得一種內絕緣封裝結構。

步驟一中的載片臺上設有V形槽。

所述金屬線的材料采用金、銀、銅、鋁或是合金的材料。

所述金屬絲的形狀是絲狀或是帶狀。

所述塑封料采用有填料物質或是無填料物質的環氧樹脂。

與現有技術相比，本發明的優點在于：

1、本發明通過塑封料進行絕緣，工藝簡單，絕緣結構制造成本低；

2、本發明散熱片和載片臺之間的絕緣層厚度可按需求進行調整，其絕緣效果可控；

3、本發明能夠解決傳統陶瓷片絕緣價格昂貴的問題和絕緣性不可控的限制，另外，本發明絕緣層材料（ABF膜）和塑封料材質屬性一致，兩者結合優良，可以更好實現熱傳遞。

附圖說明

圖1為本發明一種內絕緣封裝結構的示意圖。

圖2~圖9為本發明一種內絕緣封裝結構的制造工藝的各工序流程圖。

其中：

引線框架1

引腳1.1

載片臺1.2

芯片2

粘結物質或焊料3

焊線4

散熱片5

V形槽6

鎖膠臺階7

ABF膜8

模具9

塑封料10。

具體實施方式

以下結合附圖實施例對本發明作進一步詳細描述。

如圖1所示，本實施例中的一種內絕緣封裝結構，它包括引線框架1，所述引線框架1包括載片臺1.1和引腳1.2，所述載片臺1.1上通過粘結物質或焊料3設置有芯片2，所述芯片2通過焊線4與引線框架1的引腳1.2電性連接，所述引線框架1下方設置有散熱片5，所述散熱片5背面四周邊緣處設置有鎖膠臺階7，所述引線框架1、芯片2、焊線4和散熱片5外圍均包封有塑封料10，所述散熱片5背面露出于塑封料10之外；

所述載片臺1.1上設置有V形槽6，所述V形槽6位于芯片2外圍。

其制造工藝如下：

步驟一、參見圖2，取一引線框架，引線框架包含載片臺和引腳，載片臺上設有V形槽；

步驟二，參見圖3，在步驟一引線框架的載片臺上涂覆粘結物質或焊料，然后在粘結物質或焊料上植入芯片；