[發明專利]一種基于ANSYS計算微電子器件增加水分含量的方法

在審

• 申請號: 201710194041.2
• 申請日: 2017-03-28
• 公開（公告）號: CN106991226A
• 公開（公告）日: 2017-07-28
• 發明（設計）人: 馬孝松;劉志學;丁秋林
• 申請（專利權）人: 桂林電子科技大學
• 主分類號: G06F17/50
• 分類號: G06F17/50
• 代理公司: 南寧東智知識產權代理事務所(特殊普通合伙)45117
• 代理人: 巢雄輝,汪治興

1.一種基于ANSYS計算微電子器件增加水分含量的方法，其特征在于：包括以下步驟：

（1）采用ANSYS軟件構建微電子器件的實體模型；

（2）對微電子器件的實體模型進行有限元網絡劃分，將微電子器件的實體模型分為n個單元；

（3）將ANSYS軟件中的熱傳導分析的參數對應設置成潮濕擴散分析的參數；所述熱傳導分析的參數包括物體吸收的能量q、溫度T、密度ρ、比熱容c、熱傳導率K；所述潮濕擴散分析的參數包括微電子器件吸收水分的重量G、相對濕度w、密度ρ_c、飽和潮濕度Csat、潮濕擴散度D；其中溫度T對應相對濕度w；比熱容c對應飽和潮濕度Csat，熱傳導率K對應潮濕擴散度D與飽和潮濕度Csat的乘積；所述潮濕擴散分析中密度ρ_c=1；

（4）利用ANSYS軟件對微電子器件進行加載外界環境的溫度T，即可得相對濕度w；

（5）利用ANSYS軟件計算微電子器件的實體模型每個單元的體積V_i（i=1,2,···,n）；

（6）根據公式q=c*m*△t和m=ρ*V可得G=Csat*ρ_c*V*w；根據潮濕擴散分析中密度ρ_c=1可得每個單元吸收水分的重量G_i=Csat*V*w,（i=1,2,···,n）式中Csat為常數，材料不同Csat的值也不同；

（7）對n個單元采用加法求取微電子器件吸收水分的重量G，（i=1,2,···,n）。

2.根據權利要求1所述的一種基于ANSYS計算微電子器件增加水分含量的方法，其特征在于：所述步驟（7）是在matlab上采用程序實現。