[發明專利]高電子遷移率晶體管和其制造方法

有效

• 申請號: 201710193317.5
• 申請日: 2017-03-28
• 公開（公告）號: CN107240607B
• 公開（公告）日: 2022-03-01
• 發明（設計）人: S·諾爾
• 申請（專利權）人: 羅伯特·博世有限公司
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L21/335
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 郭毅

1.一種HEMT(100、500)，其包括多個第一單個單元(201)和至少一個第二單個單元(214、314、414)，其中，所述多個第一單個單元(201)分別構成至少一個單個晶體管，其中，所述第二單個單元(214、314、414)具有第一絕緣層(202、302、402)，所述第一絕緣層垂直于襯底前側地布置并且從所述襯底前側延伸至二維電子氣中，從而產生具有第一柵極連接端(205、305、405)的第一單個晶體管(204、304、404)和具有第二柵極連接端(207、307、407)的第二單個晶體管(206、306、406)，其中，所述第一單個晶體管(204、304、404)和所述第二單個晶體管(206、306、406)并聯電連接并且具有源極連接端(108、208、308、408、508)和漏極連接端(109、209、309、409、509)，

其特征在于，

在所述漏極連接端(109、209、309、409、509)和所述源極連接端(108、208、308、408、508)之間在所述第二單個晶體管(206、306、406)的區域中布置有電位接觸部(213、313、413)，所述電位接觸部垂直于所述襯底前側地布置并且從所述襯底前側伸展至所述第二單個晶體管(206、306、406)的所述二維電子氣中，從而在所述漏極連接端(109、209、309、409、509)和所述第二柵極連接端(207、307、407)之間產生第一電阻(510)并且在所述第二柵極連接端(207、307、407)和所述源極連接端(108、208、308、408、508)之間產生第二電阻(511)，其中，設有將所述電位接觸部(213、313、413)和所述第二柵極連接端(207、307、407)電連接的裝置。

2.根據權利要求1所述的HEMT(100、500)，其特征在于，所述裝置為柵極場板。

3.根據權利要求1至2中任一項所述的HEMT(100、500)，其特征在于，所述第二柵極連接端(207、307、407)的面積與所述電位接觸部(213、313、413)的面積相等。

4.根據權利要求1至2中任一項所述的HEMT(100、500)，其特征在于，所述第二柵極連接端(207、307、407)的面積大于所述電位接觸部(213、313、413)的面積。

5.根據權利要求1至2中任一項所述的HEMT(100、500)，其特征在于，所述電位接觸部(213、313、413)在所述第二單個晶體管(206、306、406)的區域中布置在所述漏極連接端(209、309、409)和所述第二柵極連接端(207、307、407)之間。

6.根據權利要求1至2中任一項所述的HEMT(100、500)，其特征在于，所述電位接觸部(213、313、413)在所述第二單個晶體管(206、306、406)的區域中布置在所述源極連接端(208、308、408)和所述第二柵極連接端(207、307、407)之間。

7.根據權利要求1至2中任一項所述的HEMT(100、500)，其特征在于，所述第二單個晶體管(206、306、406)具有第二絕緣層(403)，所述第二絕緣層垂直于所述襯底前側地布置并且從所述襯底前側延伸至所述第二單個晶體管(206、306、406)的所述二維電子氣中。

8.根據權利要求1至2中任一項所述的HEMT(100、500)，其特征在于，所述第二單個晶體管(206、306、406)的待機電流能夠根據所述電位接觸部(213、313、413)的高度來調節。