[發明專利]一種低溫真空鍍膜方法

有效

• 申請號: 201710192914.6
• 申請日: 2017-03-28
• 公開（公告）號: CN106893980B
• 公開（公告）日: 2019-06-14
• 發明（設計）人: 洪錚錚
• 申請（專利權）人: 常州市愛華真空設備有限公司
• 主分類號: C23C14/24
• 分類號: C23C14/24;C23C14/20;C23C14/58;D06M11/83
• 代理公司: 廈門原創專利事務所(普通合伙) 35101
• 代理人: 何玲君

本發明公開了一種低溫真空鍍膜方法，對基底材料進行清潔；將清潔后的基底材料放入真空蒸發室中，采用惰性氣體作為清潔源對基底材料進行再清潔；采用低熔點靶材，在真空度為10^?5～10^?4Pa，反應壓力為0.4MPa～0.8MPa，反應距離為7cm～10cm，靶材溫度為150℃～400℃，蒸發速率為1.2g/m³·s～1.8g/m³·s，基底溫度為110℃～150℃的條件下對基底材料進行真空蒸發鍍膜處理；采用紫外線對經處理的基底材料進行光固化處理。本發明采用的低溫真空鍍膜方法在較低溫度條件下實現對各種高分子基材進行鍍膜，可充分滿足實際需求。

技術領域

本發明涉及真空蒸發法的鍍覆領域，具體涉及一種低溫真空鍍膜方法。

背景技術

根據對基材表面進行技術處理時具體反應形式和過程的不同，可以分為物理氣相沉積法和化學氣相沉積法兩大鍍膜方法。而采用真空蒸發法鍍膜屬于常見的物理氣相沉積鍍膜方法之一。真空蒸鍍法指在真空環境中，通過加熱使金屬等蒸發形成氣相，使蒸發物質的原子以冷凝的方式逐步沉積在基材表面，從而完成對基材的表面鍍膜處理。采用真空蒸鍍法進行表面鍍膜，具有較高的沉積速率，可以制備各種熱穩定性好的單質薄膜和化合物薄膜。

采用真空蒸發法鍍膜時，靶材處于較高溫度，才能正靶材分子蒸鍍至基材表面，形成鍍膜。但是對于紡織品或者塑料制品等低熔點基材，高溫度的靶材蒸鍍到基材表面時，會破壞基材表面的完整性，易造成白點、壞點等缺陷，并且會對基材表面進行氧化，使基材表面鍍膜發生性質改變。

中國專利CN201410107025.1公開了一種鋁材真空鍍膜工藝，該發明采用磁控濺射真空鍍膜技術對經過工藝處理的鋁材表面進行鈦鉻合金鍍膜處理，得到了具有耐磨耐腐蝕性的鍍層。但是該專利對于鍍膜靶材的實際使用率較低。

因此，需要一種在較低溫度條件下實現對各種高分子基材進行鍍膜的真空蒸鍍技術，以充分滿足實際需求。

發明內容

本發明針對上述問題，提供一種低溫真空鍍膜方法。

本發明解決上述問題所采用的技術方案是：一種低溫真空鍍膜方法，包括以下步驟：

步驟S1，對基底材料進行清潔；

步驟S2，將清潔后的基底材料放入真空蒸發室中，采用惰性氣體作為清潔源，以1.2m/s～1.8m/s的流速對基底材料進行再清潔；

步驟S3，采用低熔點靶材，在真空度為10^-5～10^-4Pa，反應壓力為0.4MPa～0.8MPa，反應距離為7cm～10cm，靶材溫度為150℃～400℃，蒸發速率為1.2g/m³·s～1.8g/m³·s，基底溫度為110℃～150℃的條件下對基底材料進行真空蒸發鍍膜處理；

步驟S4，在60℃～80℃的溫度條件下，采用紫外線對經步驟S3處理的基底材料進行光固化處理。

進一步地，步驟S1中，基底材料為：塑料或紡織品。

進一步地，步驟S1中，清潔具體為：先采用去離子水對基底材料進行超聲波清洗30min～60min，再采用無水乙醇對經水清洗后的基底材料以0.2m/s～0.5m/s的流速進行沖洗，再進行真空烘干處理，得到清潔后的基底材料；

更進一步地，真空烘干處理具體為：在壓力為0.6MPa～0.9MPa、溫度為60℃～70℃的條件下進行烘干4h～8h。

進一步地，步驟S2中，再清潔的處理時間為：5min～20min。

進一步地，步驟S3中，低熔點靶材包括：銦合金、鉛合金、錫合金、鋁合金、銦單質、錫單質中的任一種。