[發明專利]一種減小由光刻工件臺吸附導致硅片形變的方法

有效

• 申請號: 201710190898.7
• 申請日: 2017-03-28
• 公開（公告）號: CN106842827B
• 公開（公告）日: 2018-10-16
• 發明（設計）人: 姚樹歆;李銘
• 申請（專利權）人: 上海集成電路研發中心有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;陳慧弘

1.一種減小由光刻工件臺吸附導致硅片形變的方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S01：將硅片反置在工作臺上，使硅片下表面朝上，在硅片與工作臺間無吸附力的情況下，利用調平調焦系統測量硅片下表面的高低形貌分布z₁(x_i,y_i)，其中x_i,y_i是測量點的坐標，i是測量點的編號，共測量n個點；

步驟S02：將硅片翻轉180°，使硅片上表面朝上，對硅片施加吸附力F,在硅片與工作臺間有吸附力的情況下，利用調平調焦系統測量硅片上表面的高低形貌分布z₂(x_i,y_i)，測量點的數量和分布與步驟S01中測量下表面時相同；

步驟S03：根據步驟S01和S02中測得的硅片上、下表面的高低形貌分布z₁(x_i,y_i)和z₂(x_i,y_i)計算上表面在硅片被吸附后的高低形貌分布z′₂(x_i,y_i)；

步驟S04：根據上表面在硅片被吸附后的高低形貌分布z′₂(x_i,y_i)調整吸附力F，使硅片上表面的形貌均處在工件臺調焦范圍內。

2.根據權利要求1所述的一種減小由光刻工件臺吸附導致硅片形變的方法，其特征在于，所述步驟S03中，所述上表面在硅片被吸附后的高低形貌分布z′₂(x_i,y_i)的計算方法為：

步驟S041：計算由吸附力F造成的硅片變形Δh(x_i,y_i)；

步驟S042：計算上表面在硅片被吸附后的高低形貌分布z′₂(x_i,y_i)，z′₂(x_i,y_i)＝z₂(x_i,y_i)+z₁(x_i,y_i)-Δh(x_i,y_i)。

3.根據權利要求1所述的一種減小由光刻工件臺吸附導致硅片形變的方法，其特征在于，所述步驟S04中，所述調整吸附力F的方法為：

步驟S051：根據最小二乘法，對上表面在硅片被吸附后的高低形貌分布z′₂(x_i,y_i)進行擬合，得到其擬合平面其計算公式為：使得所有的測量點的高低形貌與該擬合平面之間的距離差的平方和最小；

步驟S052：計算上表面在硅片被吸附后的高低形貌分布z′₂(x_i,y_i)與其擬合平面之間的相對距離Δz₂(x_i,y_i)，即

步驟S053：比較相對距離Δz₂(x_i,y_i)與預先設定的系統對焦誤差δ，如果對于n個測量點均滿足相對距離Δz₂(x_i,y_i)的絕對值小于系統對焦誤差δ，則完成吸附力調節；如果相對距離Δz₂(x_i,y_i)大于零且大于系統對焦誤差δ，則增大吸附力F并轉回步驟S03；如果相對距離Δz₂(x_i,y_i)小于零且其絕對值大于系統對焦誤差δ，則減小吸附力F并轉回步驟S03。

4.根據權利要求1所述的一種減小由光刻工件臺吸附導致硅片形變的方法，其特征在于，所述步驟S01和S02中，所述調平調焦系統與處理器相連，將上表面和下表面的形貌高低分布的結果傳送給處理器。