[發(fā)明專利]氮化鎵基增強耗盡型電平轉(zhuǎn)換電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710190382.2
• 申請日: 2017-03-28
• 公開（公告）號: CN106992776B
• 公開（公告）日: 2020-02-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 馬曉華;張蓉;羅衛(wèi)軍;季子路
• 申請（專利權(quán)）人: 西安電子科技大學(xué)
• 主分類號: H03K19/0175
• 分類號: H03K19/0175
• 代理公司: 陜西電子工業(yè)專利中心 61205
• 代理人: 田文英;王品華

1.一種氮化鎵基增強耗盡型電平轉(zhuǎn)換電路，包括第一反相電路，第一輸出電路，第二反相電路，第二輸出電路，其特征在于，還包括第三反相電路，第三輸出電路；所述的第一反相電路的輸出端與第一輸出電路的輸入端連接，第一輸出電路的輸出端與第二反相電路的輸入端連接；所述的第二反相電路的輸出端與第二輸出電路的輸入端連接；所述的第二輸出電路的輸出端與第三反相電路的輸入端連接，第三反相電路的輸出端與第三輸出電路的輸入端連接；其中，所述的第一反相電路中的晶體管T1、第一輸出電路中的晶體管T4、第二反相電路中的晶體管T5、第二反相電路中的晶體管T6、第二輸出電路中的晶體管T8、第三反相電路中的晶體管T9、第三反相電路中的晶體管T10與第三輸出電路中的晶體管T12均為氮化鎵基耗盡型高電子遷移率晶體管；所述的第一反相電路中的晶體管T2、第一輸出電路中的晶體管T3、第二輸出電路中的晶體管T7與第三輸出電路中晶體管T11均為氮化鎵基增強型高電子遷移率晶體管；所述的第一輸出電路中的二極管D1、第一輸出電路中的二極管D2、第二輸出電路中的二極管D3、第二輸出電路中的二極管D4、第三輸出電路中的二極管D5、第三輸出電路中的二極管D6均為肖特基二極管；所述的第三反相電路中的晶體管T9的漏極接正偏置電平VDD，第三反相電路中的晶體管T9的柵極與源極短接后，與第三反相電路中的晶體管T10的漏極和第三輸出電路中的晶體管T11的柵極連接，第三反相電路中的晶體管T10的源極接地GND；所述的第三輸出電路中的晶體管T11的漏極接高偏置電平VDD，源極接第三輸出電路中的二極管D5的正極，第三輸出電路中的二極管D5的負極接第三輸出電路中的二極管D6的正極，第三輸出電路中的二極管D6的負極與第三輸出電路中的晶體管T12的漏極，第三輸出電路中的晶體管T12的漏極接輸出Vout，第三輸出電路中的晶體管T12的源極與柵極接負偏置電平VSS。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鎵基增強耗盡型電平轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述的第一反相電路中的晶體管T1的漏極接高偏置電平VDD，第一反相電路中的晶體管T1柵極與源極短接后，與第一反相電路中的晶體管T2的漏極和第一輸出電路中的晶體管T3的柵極連接，第一反相電路中的晶體管T2的柵極接輸入電壓Vin，第一反相電路中的晶體管T2的源極接地GND；所述的第一輸出電路中的晶體管T3的漏極接高偏置電平VDD，源極接第一輸出電路中的二極管D1的正極，第一輸出電路中的二極管D1的負極接第一輸出電路中的二極管D2的正極，第一輸出電路中的二極管D2的負極與第一輸出電路中的晶體管T4的漏極和第二反相電路中的晶體管T6的柵極連接，第一輸出電路中的晶體管T4的源極與柵極接負偏置電平VSS。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鎵基增強耗盡型電平轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述第二反相電路中的晶體管T5的漏極接正偏置電平VDD，第二反相電路中的晶體管T5的柵極與源極短接后，與第二反相電路中的晶體管T6的漏極和第二輸出電路中的晶體管T7的柵極連接，第二反相電路中的晶體管T6的源極接地GND；所述的第二輸出電路中的晶體管T7的漏極接高偏置電平VDD，源極接第二輸出電路中的二極管D3的正極，第二輸出電路中的二極管D3的負極接第二輸出電路中的二極管D4的正極，第二輸出電路中的二極管D4的負極與第二輸出電路中的晶體管T8的漏極和第三反相電路中的晶體管T10的柵極連接，第二輸出電路中的晶體管T8的源極與柵極接負偏置電平VSS。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鎵基增強耗盡型電平轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述的晶體管T2、晶體管T3、晶體管T7、晶體管T11的閾值電壓大于零；所述的晶體管T2、晶體管T3、晶體管T7、晶體管T11的柵極的寬長比相同。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鎵基增強耗盡型電平轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述的晶體管T1、晶體管T4、晶體管T5、晶體管T8、晶體管T9、晶體管T12的閾值電壓小于零；所述的晶體管T1、晶體管T4、晶體管T5、晶體管T8、晶體管T9、晶體管T12的柵極的寬長比相同。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鎵基增強耗盡型電平轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述的晶體管T6、晶體管T10的閾值電壓小于零；所述的晶體管T6、晶體管T10的柵極的寬長比相同。