[發明專利]壓電陶瓷濺射靶材、無鉛壓電薄膜及壓電薄膜元件在審
| 申請號： | 201710190349.X | 申請日： | 2017-03-27 |
| 公開（公告）號： | CN107235723A | 公開（公告）日： | 2017-10-10 |
| 發明（設計）人： | 東智久;七尾勝;佐野達二;古川正仁;石井健太 | 申請（專利權）人： | TDK株式會社 |
| 主分類號： | C04B35/495 | 分類號： | C04B35/495;C04B35/48;C23C14/34;H01L41/187 |
| 代理公司： | 北京尚誠知識產權代理有限公司11322 | 代理人： | 楊琦,沈娟 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 壓電 陶瓷 濺射 薄膜 元件 | ||
【權利要求書】：
1.一種壓電陶瓷濺射靶材，其特征在于，
所述壓電陶瓷濺射靶材以化學式(I)：ABO3所表示的鈣鈦礦型氧化物為主成分，
所述化學式(I)的A成分至少含有K(鉀)和/或Na(鈉)，
所述化學式(I)的B成分至少含有Nb(鈮)、Ta(鉭)和Zr(鋯)中的至少一種，其中，必須含有Nb(鈮)，
所述壓電陶瓷濺射靶材由多個晶粒和存在于所述晶粒之間的晶界構成，
在所述晶界中的所述B成分中Nb(鈮)、Ta(鉭)和Zr(鋯)中的至少一種的摩爾比與所述晶粒的晶粒內的所述摩爾比相比多30％以上。
2.如權利要求1所述的壓電陶瓷濺射靶材，其特征在于，
所述A成分進一步含有Sr(鍶)和/或Li(鋰)。
3.如權利要求1或2所述的壓電陶瓷濺射靶材，其特征在于，
進一步含有Mn(錳)和/或Cu(銅)作為副成分，在將所述Mn(錳)換算成MnO(氧化錳)、將所述Cu(銅)換算成CuO(氧化銅)時，所述副成分相對于所述主成分為1質量％以下。
4.一種無鉛壓電薄膜，其特征在于，
使用權利要求1～3中任一項所述的壓電陶瓷濺射靶材成膜而成。
5.一種壓電薄膜元件，其特征在于，
由權利要求4所述的無鉛壓電薄膜和夾持所述無鉛壓電薄膜的下部電極以及上部電極構成。
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