[發明專利]實現更小線寬的光刻工藝有效
| 申請號： | 201710190157.9 | 申請日： | 2017-03-27 |
| 公開（公告）號： | CN106933064B | 公開（公告）日： | 2018-11-09 |
| 發明（設計）人： | 張煜;鄭海昌;朱駿 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/20 | 分類號： | G03F7/20;H01L21/033 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 實現 更小線寬 光刻 工藝 | ||
1.一種實現更小線寬的光刻工藝，其特征在于，包括：
提供襯底，并在襯底表面沉積氧化硅層和氮化硅層；
在氮化硅層表面涂覆光刻膠；
利用第一光刻機對所述氮化硅層表面進行曝光并形成曝光圖形；
刻蝕所述曝光圖形，并去除光刻膠；
利用第二光刻機的層間對準技術，并根據所需線寬設置套刻精度偏移量；
根據該套刻精度偏移量在氧化硅層和氮化硅層表面涂覆光刻膠；
對所述曝光圖形進行第二次曝光，形成新的曝光圖形；
刻蝕新的曝光圖形，并去除光刻膠；
去除襯底上的氧化硅層和氮化硅層，形成多晶硅圖形。
2.如權利要求1所述的實現更小線寬的光刻工藝，其特征在于，采用擴散工藝在襯底表面沉積氧化硅層和氮化硅層。
3.如權利要求2所述的實現更小線寬的光刻工藝，其特征在于，所述擴散工藝在氧化擴散爐中進行。
4.如權利要求1所述的實現更小線寬的光刻工藝，其特征在于，采用化學氣相沉積法在襯底表面沉積氧化硅層和氮化硅層。
5.如權利要求1所述的實現更小線寬的光刻工藝，其特征在于，所述第一光刻機采用I線光刻機或者深亞微米光刻機，所述第二光刻機采用I線光刻機或者深亞微米光刻機。
6.如權利要求5所述的實現更小線寬的光刻工藝，其特征在于，所述深亞微米光刻機為深紫外光刻機。
7.如權利要求1所述的實現更小線寬的光刻工藝，其特征在于，采用濕法去膠機去除光刻膠。
8.如權利要求1所述的實現更小線寬的光刻工藝，其特征在于，采用等離子刻蝕機對曝光圖形進行刻蝕。
9.如權利要求1所述的實現更小線寬的光刻工藝，其特征在于，所述套刻精度偏移量提前設定在所述第二光刻機中，該套刻精度偏移量與多晶硅圖形的線寬相等。
10.如權利要求1所述的實現更小線寬的光刻工藝，其特征在于，所述氧化硅層和氮化硅層的厚度可根據工藝需求調節。
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