[發明專利]一種可降低光阻氣泡數量的晶圓背面涂布工藝

有效

• 申請號: 201710189875.4
• 申請日: 2017-03-28
• 公開（公告）號: CN106842820B
• 公開（公告）日: 2020-12-11
• 發明（設計）人: 林重其;宋健
• 申請（專利權）人: 廈門市三安集成電路有限公司
• 主分類號: G03F7/16
• 分類號: G03F7/16
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種可降低光阻氣泡數量的晶圓背面涂布工藝，其特征在于：包括以下步驟：

1)在晶圓背面涂覆稀釋劑，潤濕晶圓背面；

2)在晶圓背面仍殘留有稀釋劑時，采用動態噴涂的噴頭對晶圓背面進行首次噴涂光阻劑；

3)采用動態噴涂的噴頭對晶圓背面進行第二次噴涂光阻劑，直至完成預定的噴涂次數；

在噴涂光阻劑的過程中，所述噴頭在晶圓中心與晶圓邊緣之間來回移動，所述晶圓繞其中軸線旋轉；在每次噴涂光阻劑的過程中，所述噴頭在晶圓中心與晶圓邊緣之間移動四次，且所述晶圓的轉速按噴頭移動次數的先后順序逐漸增加；

首次從晶圓中心移至晶圓邊緣為第一次移動，首次從晶圓邊緣移至晶圓中心為第二次移動，第二次從晶圓中心移至晶圓邊緣為第三次移動，第二次從晶圓邊緣移至晶圓中心為第四次移動，晶圓在噴頭的四次移動過程中，其轉速變化為：180→200→300→400rpm，噴頭每移動一次對晶圓背面完成一遍涂布，且第一次移動時光阻劑的噴涂厚度為2.5μm，第二次移動時光阻劑的噴涂厚度為2μm，第三次移動時光阻劑的噴涂厚度為2μm，第四次移動時光阻劑的噴涂厚度為1.5μm。

2.根據權利要求1所述的可降低光阻氣泡數量的晶圓背面涂布工藝，其特征在于：所述噴頭的流量為0.3～0.7cc/s，所述噴頭的移動速度為125～135mm/s。

3.根據權利要求1所述的可降低光阻氣泡數量的晶圓背面涂布工藝，其特征在于：所述晶圓的轉速為200～400rpm。

4.根據權利要求1所述的可降低光阻氣泡數量的晶圓背面涂布工藝，其特征在于：所述光阻劑每次的噴涂厚度為7～9μm。

5.根據權利要求1所述的可降低光阻氣泡數量的晶圓背面涂布工藝，其特征在于：所述稀釋劑采用動態旋涂的噴頭涂覆在晶圓背面，且該噴頭的流量為0.8～1.2cc/s。