[發(fā)明專利]減緩晶圓邊緣散焦的光刻方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710188876.7 | 申請(qǐng)日: | 2017-03-27 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107045268A | 公開(公告)日: | 2017-08-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉方群;朱治國;鄭海昌 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | G03F7/20 | 分類號(hào): | G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司: | 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)31237 | 代理人: | 智云 |
| 地址: | 201203 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 減緩 邊緣 散焦 光刻 方法 | ||
1.一種減緩晶圓邊緣散焦的光刻方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟一:提供一設(shè)置有自動(dòng)聚焦傳感器的光刻機(jī),光刻機(jī)光刻時(shí)的掃描方向定義為掃描向,在水平面上垂直于掃描向的方向定義為非掃描向,所述自動(dòng)聚焦傳感器沿著非掃描向排列定義為排成行,沿著掃描向排列定義為排成列,增加自動(dòng)聚焦傳感器的列數(shù)到至少十一列;其中,所述光刻機(jī)中設(shè)置有至少七行自動(dòng)聚焦傳感器;
步驟二:晶圓被放置在所述光刻機(jī)的工件臺(tái)上,并被劃分為若干個(gè)曝光區(qū)域,增加的自動(dòng)聚焦傳感器位于所述曝光區(qū)域的外圍并靠近所述晶圓,在光刻時(shí),分別對(duì)每個(gè)曝光區(qū)域進(jìn)行曝光,在對(duì)位于晶圓邊緣的曝光區(qū)域曝光時(shí),使用自動(dòng)聚焦傳感器測(cè)量該曝光區(qū)域的非掃描向水平值;
步驟三:將步驟二得到的該曝光區(qū)域的非掃描向水平值補(bǔ)償至該曝光區(qū)域的邊緣平坦度中。
2.如權(quán)利要求1所述的減緩晶圓邊緣散焦的光刻方法,其特征在于,步驟二中在對(duì)位于晶圓邊緣的曝光區(qū)域曝光時(shí),最多使用三列自動(dòng)聚焦傳感器測(cè)量該曝光區(qū)域的非掃描向水平值。
3.如權(quán)利要求2所述的減緩晶圓邊緣散焦的光刻方法,其特征在于,步驟二中當(dāng)晶圓邊緣的曝光區(qū)域不完整時(shí),根據(jù)被曝光的曝光區(qū)域的尺寸選擇最多三列自動(dòng)聚焦傳感器測(cè)量該曝光區(qū)域的非掃描向水平值。
4.如權(quán)利要求2所述的減緩晶圓邊緣散焦的光刻方法,其特征在于,步驟二中當(dāng)晶圓邊緣的曝光區(qū)域不完整時(shí),僅使用位于該曝光區(qū)域內(nèi)自動(dòng)聚焦傳感器以及相鄰列的自動(dòng)聚焦傳感器進(jìn)行測(cè)量,所述相鄰列的自動(dòng)聚焦傳感器位于該曝光區(qū)域靠近所述晶圓的一側(cè)。
5.如權(quán)利要求1所述的減緩晶圓邊緣散焦的光刻方法,其特征在于,步驟二中當(dāng)晶圓邊緣的曝光區(qū)域完整時(shí),使用該曝光區(qū)域內(nèi)所有的自動(dòng)聚焦傳感器進(jìn)行測(cè)量。
6.權(quán)利要求1所述的減緩晶圓邊緣散焦的光刻方法,其特征在于,還包括步驟四:在曝光晶圓邊緣的曝光區(qū)域時(shí),根據(jù)步驟三補(bǔ)償后得到的該曝光區(qū)域的邊緣平坦度調(diào)整所述工件臺(tái)。
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