[發明專利]半導體器件和半導體裝置

在審

• 申請號: 201710187607.9
• 申請日: 2017-03-27
• 公開（公告）號: CN107359155A
• 公開（公告）日: 2017-11-17
• 發明（設計）人: 沼部英雄;立野孝治;小島勇介;橫井芳彥;石田慎哉;松浦仁
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;G01K7/01
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司11219
• 代理人: 李蘭,孫志湧

1.一種半導體器件，包括：

功率器件；以及

溫度檢測二極管，

其中，所述半導體器件具有被配置成使所述功率器件的電力線與所述溫度檢測二極管之間絕緣的器件結構。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，所述溫度檢測二極管形成在與所述功率器件的所述電力線中包括的第一導電型層接觸的氧化物膜的上方，

其中，所述器件結構包括具有下述厚度的所述氧化物膜，所述厚度使得所述氧化物膜上方的電場強度等于或低于6MV/cm。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，所述器件結構進一步包括在所述功率線的所述電力線與所述溫度檢測二極管之間的環結構。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，

其中，所述溫度檢測二極管形成在與第一導電型層接觸的氧化物膜的上方。

5.根據權利要求3所述的半導體器件，

其中，所述溫度檢測二極管形成在硅內部。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，所述器件結構包括在所述功率器件的所述電力線中包括的第一導電型層，

其中，所述器件結構包括電阻器，所述電阻器在所述第一導電類型層的電極與所述溫度檢測二極管的陰極電極之間。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，

其中，所述電阻器具有漏電流等于或低于10μA的電阻值。

8.根據權利要求6所述的半導體器件，

其中，所述電阻器由多晶硅形成。

9.根據權利要求6所述的半導體器件，

其中，所述溫度檢測二極管形成在與所述第一導電型層接觸的氧化物膜的上方。

10.根據權利要求6所述的半導體器件，

其中，所述溫度檢測二極管形成在硅內部。

11.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，所述溫度檢測二極管被布置在半導體芯片的端部。

12.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，所述溫度檢測二極管被布置在半導體芯片的中央。

13.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，所述功率器件是IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)、功率MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)、二極管、或晶閘管。

14.一種半導體裝置，所述半導體裝置包括半導體器件、高側控制電路、低側控制電路、高側溫度檢測電路、低側溫度檢測電路和MCU(微控制單元)，

其中，所述半導體器件包括：

功率器件，以及

溫度檢測二極管，并且

其中，所述半導體器件具有被配置成使所述功率器件的電力線與所述溫度檢測二極管之間絕緣的器件結構。