[發明專利]半導體結構及其制造方法在審
| 申請號： | 201710185864.9 | 申請日： | 2017-03-24 |
| 公開（公告）號： | CN107230645A | 公開（公告）日： | 2017-10-03 |
| 發明（設計）人： | 黃偉立;翁正杰;蘇祥盛;黃宗隆;劉國洲;黃信傑;廖德堆;古進譽;陳承先 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/60 | 分類號： | H01L21/60;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產權代理有限責任公司11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 結構 及其 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種制造半導體結構的方法，其包括：
形成傳導層于第一絕緣層上；
蝕刻所述傳導層的一部分，以暴露所述第一絕緣層的一部分；
變形所述第一絕緣層的所述部分的表面，以形成所述第一絕緣層的粗糙表面；以及
從所述第一絕緣層的所述粗糙表面移除所述傳導層的殘留物。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
