[發(fā)明專利]具有階梯形屏蔽槽耐壓結(jié)構(gòu)及雙漏極結(jié)構(gòu)的SOI高壓器件

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710185811.7
• 申請(qǐng)日: 2017-03-26
• 公開（公告）號(hào): CN108630753A
• 公開（公告）日: 2018-10-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 沈立
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海卓弘微系統(tǒng)科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/417;H01L29/06;H01L29/08
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種具有階梯形屏蔽槽耐壓結(jié)構(gòu)以及具有雙漏極結(jié)構(gòu)的SOI高壓雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管器件，器件的橫向耐壓仍使用場板技術(shù)、表面P降場層的雙RESURF技術(shù)來解決；其特征是：此器件具有雙漏電極，增加了耗盡區(qū)與漏區(qū)的面積，減弱了橫向電常，提高了橫向擊穿電壓；對(duì)于器件的縱向耐壓，器件是通過在Si和埋層Si0₂界面上形成了階梯形的屏蔽槽的結(jié)構(gòu)來解決。

2.如權(quán)利要求1所述的一種具有階梯形屏蔽槽耐壓結(jié)構(gòu)以及具有雙漏極結(jié)構(gòu)的SOI高壓器件，其特征在于，階梯形屏蔽槽結(jié)構(gòu)位于漏區(qū)下方。

3.如權(quán)利要求1所述的一種具有階梯形屏蔽槽耐壓結(jié)構(gòu)以及具有雙漏極結(jié)構(gòu)的SOI高壓器件，其特征在于，階梯形屏蔽槽結(jié)構(gòu)越靠近漏區(qū)其高度越高。

4.如權(quán)利要求1所述的一種具有階梯形屏蔽槽耐壓結(jié)構(gòu)以及具有雙漏極結(jié)構(gòu)的SOI高壓器件，其特征在于，在左右兩個(gè)漏區(qū)下方存在有對(duì)稱的屏蔽槽結(jié)構(gòu)。

5.如權(quán)利要求1所述的一種具有階梯形屏蔽槽耐壓結(jié)構(gòu)以及具有雙漏極結(jié)構(gòu)的SOI高壓器件，其特征在于，屏蔽槽之間的距離是均勻的。

6.如權(quán)利要求1所述的一種具有階梯形屏蔽槽耐壓結(jié)構(gòu)以及具有雙漏極結(jié)構(gòu)的SOI高壓器件，其特征在于，該器件具有兩個(gè)漏極。

7.如權(quán)利要求1所述的一種具有階梯形屏蔽槽耐壓結(jié)構(gòu)以及具有雙漏極結(jié)構(gòu)的SOI高壓器件，其特征在于，該器件兩個(gè)漏極對(duì)稱分布。

8.如權(quán)利要求6和7所述的兩個(gè)對(duì)稱的雙漏極結(jié)構(gòu)，其特征在于，雙漏極位于金屬氧化物場效應(yīng)管的兩端。