[發明專利]一種雙波段探測器的制作方法在審

申請號：	201710185061.3	申請日：	2017-03-25
公開（公告）號：	CN106972077A	公開（公告）日：	2017-07-21
發明（設計）人：	張清	申請（專利權）人：	張清
主分類號：	H01L31/105	分類號：	H01L31/105;H01L31/0352;H01L31/18
代理公司：	暫無信息	代理人：	暫無信息
地址：	257000 ***	國省代碼：	山東;37
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種波段探測器制作方法
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【權利要求書】：

1.一種雙面紅外/紫外雙波段探測器制作方法，包括如下步驟：（1）通過MOCVD法在襯底上表面生長N型GaN層；（2）通過MOCVD法在N型GaN層上第一區域上依次生長i型GaN層以及P型GaN層；（3）通過溶膠－凝膠法在N型GaN層上第二區域上依次生長SiO₂鈍化層，多孔SO₂隔熱層，紅外熱吸收層以及PZT薄膜層；（5）通過MOCVD法在襯底下表面對應第二區域的位置生長GaN緩沖層；（6）通過溶膠－凝膠法在GaN緩沖層外依次生長SiO₂鈍化層，多孔SO₂隔熱層，紅外熱吸收層以及PZT薄膜層；（7）通過IPC刻蝕得到N型GaN層左側臺面，以及第一區域與第二區域之間的間隔；（8）通過電子束蒸發在N型GaN層左側臺面上下沉積In/ Au合金，在P型GaN層沉積Ni/Au合金；（9）通過IPC刻蝕得到上部以及下部紅外熱吸收層左側臺面；（10）通過電子束蒸發在上部以及下部紅外熱吸收層左側臺面沉積下電極；（11）通過電子束蒸發在上部以及下部PZT薄膜層沉積上電極。

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