[發明專利]陣列基板及其制備方法和應用

有效

• 申請號: 201710184240.5
• 申請日: 2017-03-24
• 公開（公告）號: CN106935545B
• 公開（公告）日: 2019-12-06
• 發明（設計）人: 宮奎
• 申請（專利權）人: 合肥京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77
• 代理公司: 11201 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 趙天月<國際申請>=<國際公布>=<進入

本發明提出了陣列基板及其制備方法和應用。該制備陣列基板的方法包括：在襯底基板上形成鈍化層；在鈍化層遠離襯底的一側形成光刻膠層，并對光刻膠層進行構圖工藝形成具有開口圖案的光掩膜；對開口圖案對應的鈍化層區域進行離子注入；刻蝕開口圖案對應的鈍化層區域，形成貫穿所述鈍化層的過孔；剝離光掩膜。本發明所提出的制備方法，通過預先注入離子，使得鈍化層刻蝕過程中凹槽的兩側側壁和底壁形成一層薄薄的保護膜，由于底壁的保護膜相較于兩側壁的更容易被刻蝕掉，從而使垂直方向的刻蝕速度快于側向的刻蝕速度，從而可有效控制鈍化層刻蝕方向，能有效地解決底切不良現象所帶來的陣列基板制作良品率降低的問題。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，具體的，本發明涉及陣列基板及其制備方法和應用。更具體的，涉及制備陣列基板的方法、陣列基板和顯示裝置。

背景技術

傳統的TFT產品制作過程中，制作鈍化層的材質通常會選擇SiN_x，并且該SiN_x鈍化層一般分為三層：過渡亞層、主體亞層和頂亞層。其中，過渡亞層的作用是避免鈍化層主體與像素電極直接接觸產生黑點不良，且過渡亞層的SiNx密度較小；頂亞層的作用是在等離子體刻蝕中起到緩沖作用，并使過孔達到一定的坡度角和尺寸。所以，由于亞層結構的疏松程度不同，造成了各亞層的刻蝕速率不同。

目前，在制作TFT基板的鈍化層過孔過程中，由于鈍化層的主體亞層與底部過渡亞層的刻蝕速率不同，參考圖1，在刻蝕過程中容易出現底切倒角的現象，參考圖2，進而容易造成頂部ITO層與S/D電極層之間出現接觸跨斷的問題，從而可能導致TFT產品顯示異常甚至無法顯示，最終造成了TFT基板制作的良品率降低。

因此，現階段的TFT基板的制作方法仍有待改進。

發明內容

本發明旨在至少在一定程度上解決相關技術中的技術問題之一。

本發明是基于發明人的下列發現而完成的：

本發明人在研究過程中發現，傳統的制作TFT產品鈍化層過孔的步驟中，采用活性等離子體進行刻蝕，等離子體比較容易進入較疏松的頂亞層，而能達到刻蝕的目的；而當刻蝕到過渡亞層時，由于其刻蝕速率與主體亞層的不同則會產生縮進(即過渡亞層的側向刻蝕程度大于相鄰的主體亞層底部)，也就產生了底切不良的現象，具體結構示意圖參考圖1。

為了解決上述技術問題，本發明的發明人經過深入研究發現，在制作完鈍化層過孔的光刻膠掩膜圖案后，先利用光刻膠掩膜圖案為阻擋層，進行金屬鋁離子注入，使未被光刻膠保護區域的氮化硅中均勻地分布金屬鋁離子；如此，當利用刻蝕氣體刻蝕氮化硅鈍化層的過程中，刻蝕凹槽的兩側側壁表層中的金屬鋁會生成一層薄薄的抗等離子體刻蝕性強的保護膜，因此，可以保護鈍化層在刻蝕過程中不會被過度側向刻蝕而避免產生底切倒角的技術問題。

有鑒于此，本發明的一個目的在于提出一種能有效控制鈍化層刻蝕方向、防止底切不良問題或操作簡單的制備陣列基板的方法。

在本發明的第一方面，本發明提出了一種制備陣列基板的方法。

根據本發明的實施例，所述方法包括：在襯底基板上形成鈍化層；在所述鈍化層遠離所述襯底的一側形成光刻膠層，并對所述光刻膠層進行構圖工藝形成具有開口圖案的光掩膜；對所述開口圖案對應的鈍化層區域進行離子注入；刻蝕所述開口圖案對應的鈍化層區域，形成貫穿所述鈍化層的過孔；剝離所述光掩膜。

采用本發明實施例的制備方法，通過預先注入金屬離子，使得鈍化層刻蝕過程中凹槽的兩側側壁和底壁形成一層薄薄的保護膜，由于底壁的保護膜相較于兩側壁的更容易被刻蝕掉，從而使垂直方向的刻蝕速度快于側向的刻蝕速度，從而可有效控制鈍化層刻蝕方向，能有效地解決底切不良現象所帶來的陣列基板制作良品率降低的問題。

另外，根據本發明上述實施例的制備方法，還可以具有如下附加的技術特征：