[發(fā)明專利]一種導(dǎo)向管、薄膜厚度傳感器及蒸鍍?cè)O(shè)備在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710184003.9 | 申請(qǐng)日: | 2017-03-24 |
| 公開(公告)號(hào): | CN106885549A | 公開(公告)日: | 2017-06-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 梁志凡 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01B21/08 | 分類號(hào): | G01B21/08;C23C14/54;C23C14/24 |
| 代理公司: | 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11291 | 代理人: | 郭潤湘 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 導(dǎo)向 薄膜 厚度 傳感器 設(shè)備 | ||
1.一種導(dǎo)向管,用于薄膜厚度傳感器,其特征在于,所述導(dǎo)向管中空,包括:蒸鍍物入口和蒸鍍物出口;其中,所述蒸鍍物入口的截面積大于所述蒸鍍物出口的截面積,所述導(dǎo)向管分為兩段,從所述蒸鍍物入口到所述蒸鍍物出口,靠近所述蒸鍍物入口的一段導(dǎo)向管的截面積逐漸減小到與所述蒸鍍物出口的截面積相同,另一段導(dǎo)向管的截面積與所述蒸鍍物出口的截面積相同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)向管,其特征在于,所述導(dǎo)向管沿所述蒸鍍物入口的中心點(diǎn)與所述蒸鍍物出口的中心點(diǎn)連線呈軸對(duì)稱。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的導(dǎo)向管,其特征在于,所述導(dǎo)向管的截面為圓形、橢圓形或方形。
4.一種薄膜厚度傳感器,其特征在于,包括:如權(quán)利要求1~3任一項(xiàng)所述的導(dǎo)向管,設(shè)置在所述導(dǎo)向管的蒸鍍物出口處的晶體振子,以及與所述晶體振子連接的用于檢測所述晶體振子諧振頻率的檢測裝置。
5.一種蒸鍍?cè)O(shè)備,其特征在于,包括:至少一個(gè)蒸發(fā)源和如權(quán)利要求4所述的薄膜厚度傳感器;其中,所述薄膜厚度傳感器的一根導(dǎo)向管的蒸鍍物入口朝向一個(gè)所述蒸發(fā)源的蒸發(fā)面。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的蒸鍍?cè)O(shè)備,其特征在于,所述蒸發(fā)源為多個(gè)且排列成排,所述導(dǎo)向管的截面為橢圓形,所述導(dǎo)向管的蒸鍍物入口的短軸的長度不大于該導(dǎo)向管的蒸鍍物入口所朝向的蒸發(fā)源的蒸發(fā)面沿所述多個(gè)蒸發(fā)源的排列方向的最大長度。
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