[發(fā)明專(zhuān)利]一種固態(tài)光源的制備方法和固態(tài)光源有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710183218.9 | 申請(qǐng)日： | 2017-03-24 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN106898618B | 公開(kāi)（公告）日： | 2020-02-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李海旭 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L27/12 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L27/12;H01L21/77 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 顯示 面板 固態(tài) 光源 制備 方法 | ||
1.一種固態(tài)光源的制備方法，其特征在于，所述方法包括：
在基板表面沉積氮化鎵形成氮化鎵緩沖層；
在所述氮化鎵緩沖層上沉積合金，通過(guò)構(gòu)圖工藝制備固定線寬的電極，形成N型電極層；
在所述N型電極層上沉積N型氮化鎵形成N型氮化鎵層；
在所述N型氮化鎵層上沉積銦氮化鎵形成量子阱層；
對(duì)所述量子阱層的不同區(qū)域摻雜不同的雜質(zhì)；
在所述量子阱層上沉積P型氮化鎵形成P型氮化鎵層；
將所述N型氮化鎵層、量子阱層、P型氮化鎵層通過(guò)構(gòu)圖工藝形成與N型電極同寬的基色芯片；
在所述P型氮化鎵層上沉積合金，通過(guò)構(gòu)圖工藝制備與N型電極同寬的電極，形成P型電極層；
使用填充介質(zhì)填充相鄰的兩個(gè)基色芯片之間的間隙并覆蓋P型電極層；
在填充介質(zhì)上沉積發(fā)光反射層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述對(duì)所述量子阱層的不同區(qū)域摻雜不同的雜質(zhì)包括：
對(duì)G基色芯片區(qū)域摻雜磷、砷中任一種雜質(zhì)；
對(duì)B基色芯片區(qū)域摻雜硅、碳或鋁中任一種雜質(zhì)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述對(duì)G基色芯片區(qū)域摻雜磷、砷中任一種雜質(zhì)包括：
采用光刻膠遮蓋所述G基色芯片區(qū)域之外的銦氮化鎵；
對(duì)裸露的銦氮化鎵摻雜磷、砷中任一種雜質(zhì)；
去除光刻膠。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，R基色芯片區(qū)域?yàn)闊o(wú)摻雜的本征發(fā)光區(qū)域。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述將所述N型氮化鎵層、量子阱層、P型氮化鎵層通過(guò)構(gòu)圖工藝形成與N型電極同寬的基色芯片包括：
采用干法刻蝕工藝刻蝕P型氮化鎵、銦氮化鎵、N型氮化鎵，其中刻蝕后的P型氮化鎵、銦氮化鎵、N型氮化鎵均與N型電極同寬。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述通過(guò)構(gòu)圖工藝制備與N型電極同寬的電極，形成P型電極層包括：
采用濕法刻蝕工藝刻蝕合金形成P型電極，其中刻蝕后的P型電極與N型電極同寬。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述在基板表面沉積氮化鎵形成氮化鎵緩沖層之前，所述方法還包括：
翻轉(zhuǎn)基板，用于將所述固態(tài)光源制備在基板反面。
8.一種固態(tài)光源，其特征在于，包括：N型電極層、N型氮化鎵層、量子阱層、P型氮化鎵層、P型電極層；
其中，所述N型電極層、N型氮化鎵層、量子阱層、P型氮化鎵層、P型電極層從基板表面向上依次疊加，并具有相同的線寬；所述量子阱層的不同區(qū)域摻雜有不同的雜質(zhì)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述固態(tài)光源，其特征在于，還包括：氮化鎵緩沖層、發(fā)光反射層、填充介質(zhì)；
所述氮化鎵緩沖層設(shè)置在基板與N型電極層之間，覆蓋整個(gè)基板表面；
所述填充介質(zhì)包括填充在相鄰的兩個(gè)基色芯片之間的部分和覆蓋在所述P型電極層上的部分；
所述發(fā)光反射層設(shè)置在所述填充介質(zhì)上，覆蓋整個(gè)基板。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的固態(tài)光源，其特征在于，所述填充介質(zhì)為酚醛樹(shù)脂；
所述發(fā)光反射層的材料為鈦鈀合金。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的固態(tài)光源，其特征在于，所述N型氮化鎵層的材料為摻雜硅的氮化鎵，所述P型氮化鎵層的材料為摻雜鎂的氮化鎵。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的固態(tài)光源，其特征在于，所述N型電極層和P型電極層的材料為鎳銀合金。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的固態(tài)光源，其特征在于，所述氮化鎵緩沖層、N型氮化鎵層、P型氮化鎵層的厚度均為
所述N型電極層和P型電極層的厚度均為
所述量子阱層的厚度為
所述發(fā)光反射層的厚度為
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的固態(tài)光源，其特征在于，所述N型電極層的線寬為3-10μm。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專(zhuān)門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
