[發明專利]一種提高銻回收率的冶煉系統及方法有效
| 申請號: | 201710182943.4 | 申請日: | 2017-03-24 |
| 公開(公告)號: | CN106801150B | 公開(公告)日: | 2019-04-19 |
| 發明(設計)人: | 樊曉東;王曉東;修志浩 | 申請(專利權)人: | 南昌專騰科技有限公司 |
| 主分類號: | C22B30/02 | 分類號: | C22B30/02;C22B5/12 |
| 代理公司: | 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 喻莎 |
| 地址: | 330096 江西省南昌市南昌高新技術產*** | 國省代碼: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 提高 回收率 冶煉 系統 方法 | ||
1.一種冶煉系統對應的提高銻回收率的冶煉方法,其特征在于,具體步驟如下:將氧化銻精礦破碎后送入熔析反射爐,還原熔煉,造渣,造渣的同時加入反應劑,使得熔煉物中銻以外的成分發生化學反應,促進渣銻分離,最后進行煙氣回收處理,去渣,精煉,鑄錠成銻錠;其中,所述反應劑是重量比為85~95:1:2~3:5~8的硫化銻礦石、硝酸鈉、醋酸錳和硫化鉀組成的混合物;所述冶煉系統包括熔析反射爐,其頂部設有氧化銻精礦進料口、還原劑進口和反應劑進料口,中部一側設有煙氣出口和煙塵回料口,底部設有銻液出口;其中,煙氣出口與煙氣處理裝置連接,煙氣處理裝置設有廢氣出口和煙塵出口,煙塵出口連接至煙塵回料口。
2.一種冶煉系統對應的提高銻回收率的冶煉方法,其特征在于,具體步驟如下:將氧化銻精礦破碎后送入熔析反射爐,還原熔煉,造渣,造渣的同時加入反應劑,使得熔煉物中銻以外的成分發生化學反應,促進渣銻分離,最后進行煙氣回收處理,去渣,精煉,鑄錠成銻錠;其中,所述反應劑是重量比為85~95:1:2~3:5~8的硫化銻礦石、硝酸鈉、醋酸錳和硫化鉀組成的混合物;所述冶煉系統包括熔析反射爐,其頂部設有氧化銻精礦進料口、還原劑進口和反應劑進料口,中部一側設有煙氣出口和煙塵回料口,底部設有銻液出口;其中,煙氣出口與煙氣處理裝置連接,煙氣處理裝置設有廢氣出口和煙塵出口,煙塵出口連接至煙塵回料口;所述煙氣處理裝置包括依次連接的冷卻煙道和布袋收塵器,布袋收塵器設有廢氣出口和煙塵出口。
3.一種冶煉系統對應的提高銻回收率的冶煉方法,其特征在于,具體步驟如下:將氧化銻精礦破碎后送入熔析反射爐,還原熔煉,造渣,造渣的同時加入反應劑,使得熔煉物中銻以外的成分發生化學反應,促進渣銻分離,最后進行煙氣回收處理,去渣,精煉,鑄錠成銻錠;其中,所述反應劑是重量比為85~95:1:2~3:5~8的硫化銻礦石、硝酸鈉、醋酸錳和硫化鉀組成的混合物;所述冶煉系統包括熔析反射爐,其頂部設有氧化銻精礦進料口、還原劑進口和反應劑進料口,中部一側設有煙氣出口和煙塵回料口,底部設有銻液出口;其中,煙氣出口與煙氣處理裝置連接,煙氣處理裝置設有廢氣出口和煙塵出口,煙塵出口連接至煙塵回料口;所述銻液出口與精煉反射爐連接,精煉反射爐的出口與鑄錠爐連接。
4.一種冶煉系統對應的提高銻回收率的冶煉方法,其特征在于,具體步驟如下:將氧化銻精礦破碎后送入熔析反射爐,還原熔煉,造渣,造渣的同時加入反應劑,使得熔煉物中銻以外的成分發生化學反應,促進渣銻分離,最后進行煙氣回收處理,去渣,精煉,鑄錠成銻錠;其中,所述反應劑是重量比為85~95:1:2~3:5~8的硫化銻礦石、硝酸鈉、醋酸錳和硫化鉀組成的混合物;所述冶煉系統包括熔析反射爐,其頂部設有氧化銻精礦進料口、還原劑進口和反應劑進料口,中部一側設有煙氣出口和煙塵回料口,底部設有銻液出口;其中,煙氣出口與煙氣處理裝置連接,煙氣處理裝置設有廢氣出口和煙塵出口,煙塵出口連接至煙塵回料口;所述熔析反射爐的底部還設有排渣口。
5.一種冶煉系統對應的提高銻回收率的冶煉方法,其特征在于,具體步驟如下:將氧化銻精礦破碎后送入熔析反射爐,還原熔煉,造渣,造渣的同時加入反應劑,使得熔煉物中銻以外的成分發生化學反應,促進渣銻分離,最后進行煙氣回收處理,去渣,精煉,鑄錠成銻錠;其中,所述反應劑是重量比為85~95:1:2~3:5~8的硫化銻礦石、硝酸鈉、醋酸錳和硫化鉀組成的混合物;所述冶煉系統包括熔析反射爐,其頂部設有氧化銻精礦進料口、還原劑進口和反應劑進料口,中部一側設有煙氣出口和煙塵回料口,底部設有銻液出口;其中,煙氣出口與煙氣處理裝置連接,煙氣處理裝置設有廢氣出口和煙塵出口,煙塵出口連接至煙塵回料口;所述熔析反射爐的底部還設有排渣口;所述排渣口設有掀蓋,該掀蓋與熔析反射爐的爐體鉸接。
6.根據權利要求1~5中任一項所述的冶煉方法,其特征在于,所述反應劑的用量為熔析反射爐中熔煉物重量的1~2%。
7.根據權利要求1~5中任一項所述的冶煉方法,其特征在于,熔析反射爐的爐膛溫度在投料之前升溫至900~1000℃,投料后熔煉過程中控制在750~850℃。
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