[發(fā)明專利]具有嵌入導(dǎo)電層和增強(qiáng)密封的模制腔封裝體

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710182449.8
• 申請日: 2017-03-24
• 公開（公告）號: CN107230641B
• 公開（公告）日: 2020-11-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張超發(fā);蔡國耀;李瑞家;黃志洋;H·托伊斯
• 申請（專利權(quán)）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/055
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 周家新;蔡洪貴

1.一種形成半導(dǎo)體封裝體的方法，包括：

提供基板，所述基板具有第一側(cè)，所述第一側(cè)包括：升高部分、側(cè)向包圍所述升高部分的凹進(jìn)部分和從所述凹進(jìn)部分延伸至所述升高部分的豎直面；

用金屬層至少覆蓋所述豎直面的一部分；

在所述第一側(cè)之上形成模制化合物結(jié)構(gòu)，所述金屬層設(shè)置在所述第一側(cè)與所述模制化合物結(jié)構(gòu)之間，使得所述模制化合物結(jié)構(gòu)包括側(cè)向包圍凹進(jìn)部分的升高部分和從所述模制化合物結(jié)構(gòu)的所述凹進(jìn)部分豎直地延伸至所述模制化合物結(jié)構(gòu)的所述升高部分的相反邊緣面，其中，所述模制化合物結(jié)構(gòu)的所有相反邊緣面被金屬層覆蓋；和

隨后去除所述基板的至少一部分，使得覆蓋所述模制化合物結(jié)構(gòu)的相反邊緣面的金屬層完全暴露，從而使得所述金屬層形成圍繞所述相反邊緣面的完整環(huán)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，用金屬層至少覆蓋所述豎直面的一部分的步驟包括沿所述基板的整個豎直面形成所述金屬層，在去除所述基板的至少一部分之后，所有所述相反邊緣面都被形成在所述基板的所述豎直面之上的所述金屬層覆蓋。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，用金屬層至少覆蓋所述豎直面的一部分的步驟包括用所述金屬層覆蓋所述基板的所述升高部分、所述基板的所述凹進(jìn)部分和所述基板的所述豎直面，在去除所述基板的至少一部分之后，所述模制化合物結(jié)構(gòu)的所述升高部分和所述模制化合物結(jié)構(gòu)的所述相反邊緣面被所述金屬層的連續(xù)部分覆蓋。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，還包括圖案化所述金屬層的所述連續(xù)部分。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，圖案化所述金屬層的所述連續(xù)部分包括在覆蓋所述模制化合物結(jié)構(gòu)的所述升高部分的所述金屬層中形成一個或一個以上隔離的金屬焊墊。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述隔離的金屬焊墊具有條形形狀。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，形成模制化合物結(jié)構(gòu)包括：

形成填充所述基板的所述凹進(jìn)部分且覆蓋所述基板的所述升高部分的第一模制化合物部分；

在背離所述基板的所述第一側(cè)的背面薄化所述第一模制化合物部分；和

在所述第一模制化合物部分的背面形成第二模制化合物部分。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，還包括在薄化所述第一模制化合物部分之后，并且在形成所述第二模制化合物部分之前，形成一個或一個以上導(dǎo)電封裝體引線。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，薄化所述第一模制化合物部分包括平坦化所述背面直到去除覆蓋所述基板的所述升高部分的所述金屬層并且暴露出所述基板的所述升高部分，其中，形成所述一個或一個以上導(dǎo)電封裝體引線包括在所述基板的暴露的所述升高部分之上形成金屬結(jié)構(gòu)。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，薄化所述第一模制化合物部分包括平坦化所述背面直到暴露出覆蓋所述基板的所述升高部分的所述金屬層，并使得在所述平坦化之后所述基板的所述升高部分保持被所述金屬層覆蓋，其中，形成所述一個或一個以上導(dǎo)電封裝體引線包括掩蔽蝕刻覆蓋所述基板的所述升高部分的所述金屬層。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，提供所述基板包括：

提供具有平坦外側(cè)的金屬片；和

將所述平坦外側(cè)轉(zhuǎn)變成非平坦表面，從而形成所述第一側(cè)的所述升高部分、所述凹進(jìn)部分和所述豎直面。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，金屬片包括不銹鋼，轉(zhuǎn)變所述平坦外側(cè)包括壓印、蝕刻和磨削中的至少一種。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括沿所述模制化合物結(jié)構(gòu)的所述升高部分的外周形成凹槽。