[發(fā)明專利]用于力檢測(cè)器的基于拐折的校準(zhǔn)方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710181808.8
• 申請(qǐng)日: 2017-03-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107239161B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-03-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王營(yíng);I.波利什楚克
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 辛納普蒂克斯公司
• 主分類號(hào): G06F3/041
• 分類號(hào): G06F3/041;G06F3/044
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 張懿;鄭冀之

1.一種用于校準(zhǔn)傳感器的方法，包括：

響應(yīng)于跨所述傳感器的多個(gè)感測(cè)區(qū)施加的多個(gè)力從多個(gè)傳感器電極獲取多個(gè)電容變化，其中所述多個(gè)電容變化形成對(duì)應(yīng)于所述多個(gè)力的曲線；

識(shí)別所述曲線上至少兩個(gè)拐點(diǎn)，其中所述至少兩個(gè)拐點(diǎn)為所述多個(gè)感測(cè)區(qū)中的第一建模區(qū)定界；

基于所述至少兩個(gè)拐點(diǎn)來(lái)確定模型，所述模型表示對(duì)于所述第一建模區(qū)中的多個(gè)位置的力；以及

使用所述模型來(lái)校準(zhǔn)所述傳感器用于力感測(cè)；

其中所述多個(gè)力中的一個(gè)或多個(gè)是沿著所述傳感器的每個(gè)軸來(lái)施加。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中校準(zhǔn)所述傳感器用于力感測(cè)以補(bǔ)償輸入設(shè)備的機(jī)械方面的變化。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述至少兩個(gè)拐點(diǎn)對(duì)應(yīng)于所述多個(gè)電容變化的導(dǎo)數(shù)的符號(hào)的變化。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述至少兩個(gè)拐點(diǎn)之間的所述位置不是均勻間隔開(kāi)的。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中第二建模區(qū)受不是拐點(diǎn)的校準(zhǔn)點(diǎn)約束。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述不是拐點(diǎn)的校準(zhǔn)點(diǎn)是所述傳感器邊緣附近的點(diǎn)。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述第二建模區(qū)包括與所述第一建模區(qū)相同的至少一個(gè)拐點(diǎn)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中識(shí)別所述至少兩個(gè)拐點(diǎn)包括識(shí)別向上斜率或向下斜率的至少一個(gè)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述模型是針對(duì)所述第一建模區(qū)的分段線性近似。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述模型是針對(duì)所述第一建模區(qū)的二階多項(xiàng)式近似。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中：

識(shí)別所述至少兩個(gè)拐點(diǎn)包括識(shí)別在多個(gè)拐點(diǎn)處的所測(cè)量力水平。

12.一種用于校準(zhǔn)傳感器的處理系統(tǒng)，包括：

感測(cè)模塊，配置成響應(yīng)于跨所述傳感器的多個(gè)感測(cè)區(qū)施加的多個(gè)力而從多個(gè)傳感器電極獲取多個(gè)電容變化，其中所述多個(gè)電容變化形成對(duì)應(yīng)于所述多個(gè)力的曲線；以及

校準(zhǔn)模塊，配置成識(shí)別所述曲線上至少兩個(gè)拐點(diǎn)，其中所述至少兩個(gè)拐點(diǎn)為所述多個(gè)感測(cè)區(qū)中的第一建模區(qū)定界，并且還配置成基于所述至少兩個(gè)拐點(diǎn)來(lái)確定模型，所述模型表示對(duì)于所述第一建模區(qū)中的多個(gè)位置的力，并且還配置成使用所述模型來(lái)校準(zhǔn)所述傳感器用于力感測(cè)，

其中所述多個(gè)力中的一個(gè)或多個(gè)是沿著所述傳感器的每個(gè)軸來(lái)施加。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的處理系統(tǒng)，其中使用所述模型來(lái)校準(zhǔn)所述傳感器用于力感測(cè)以補(bǔ)償輸入設(shè)備的機(jī)械方面的變化。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的處理系統(tǒng)，其中所述至少兩個(gè)拐點(diǎn)對(duì)應(yīng)于所述多個(gè)電容變化的導(dǎo)數(shù)的符號(hào)的變化。

15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的處理系統(tǒng)，其中所述模型是針對(duì)所述第一建模區(qū)的分段線性近似。

16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的處理系統(tǒng)，其中所述校準(zhǔn)模塊確定受校準(zhǔn)點(diǎn)約束的第二建模區(qū)，所述校準(zhǔn)點(diǎn)不位于所述至少兩個(gè)拐點(diǎn)的位置處。

17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的處理系統(tǒng)，其中所述校準(zhǔn)模塊通過(guò)識(shí)別向上斜率或向下斜率的至少一個(gè)來(lái)識(shí)別所述至少兩個(gè)拐點(diǎn)。

18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的處理系統(tǒng)，其中：

識(shí)別所述至少兩個(gè)拐點(diǎn)包括識(shí)別在多個(gè)拐點(diǎn)處的所測(cè)量力水平。