[發明專利]多層陶瓷電容器有效
| 申請號: | 201710181515.X | 申請日: | 2017-03-24 |
| 公開(公告)號: | CN107527736B | 公開(公告)日: | 2020-12-29 |
| 發明(設計)人: | 龍穣;谷口克哉;森田浩一郎;巖崎譽志紀 | 申請(專利權)人: | 太陽誘電株式會社 |
| 主分類號: | H01G4/008 | 分類號: | H01G4/008;H01G4/08;H01G4/12;H01G4/30 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳;張燕 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 多層 陶瓷 電容器 | ||
1.一種多層陶瓷電容器,包括:
一對外部電極;
第一內部電極,其連接到所述一對外部電極中的一個;
電介質層,其層疊在所述第一內部電極上并且包含BaTiO3和Ni;以及
第二內部電極,其層疊在所述電介質層上,包含Ni,并且連接到所述一對外部電極中的另一個,其中,
通過用透射電子顯微鏡分析五個區域獲得的Ni濃度在0.015至0.045的范圍內,所述五個區域通過在層疊方向將所述電介質層的區域等分為五個而得到,所述電介質層的所述區域位于所述第一內部電極和所述第二內部電極之間在所述層疊方向上從與所述第一內部電極相距50nm的位置到與所述第二內部電極相距50nm的位置,
所述Ni濃度是原子濃度比Ni/(Ba+Ti)。
2.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器,
在所述五個區域中最靠近所述第一內部電極的端部區域和最靠近所述第二內部電極的端部區域中的至少一個中的Ni濃度比所述五個區域的中央區域中的Ni濃度大10%或更多。
3.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器,其中,
在所述五個區域中最靠近所述第一內部電極的端部區域和最靠近所述第二內部電極的端部區域中的至少一個中的Ni濃度比所述五個區域的中央區域中的Ni濃度大15%或更多。
4.根據權利要求1或2所述的多層陶瓷電容器,其中,
所述電介質層的層疊數量為200個或更多。
5.根據權利要求1至3中任一項所述的多層陶瓷電容器,其中,
多個電介質層隔著內部電極層疊,且
所述多個電介質層中的80%或更多是所述電介質層。
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