[發明專利]一種具有磁滯線圈的磁傳感器封裝結構

有效

• 申請號: 201710180998.1
• 申請日: 2017-03-24
• 公開（公告）號: CN107015171B
• 公開（公告）日: 2023-10-24
• 發明（設計）人: 詹姆斯·G·迪克;伊拉姆帕瑞蒂·維斯瓦納坦
• 申請（專利權）人: 江蘇多維科技有限公司
• 主分類號: G01R33/02
• 分類號: G01R33/02
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;賈允

1.一種具有磁滯線圈的磁傳感器封裝結構，其特征在于：包括襯底(1)、傳感器切片(3)、設置在襯底上的螺旋磁滯線圈(2)、引線鍵合焊盤(4)，所述傳感器切片(3)上沉積有傳感器橋臂；

所述傳感器橋臂電連接成磁電阻傳感器推挽式電橋，所述傳感器橋臂包括由磁電阻傳感元件構成的磁電阻傳感器推挽式電橋的推臂和挽臂，所述磁電阻傳感器推挽式電橋為磁電阻傳感器推挽式半橋或者磁電阻傳感器推挽式全橋；

所述磁電阻傳感器推挽式電橋設置在所述螺旋磁滯線圈(2)上，且所述電橋封裝在所述襯底(1)上；所述螺旋磁滯線圈(2)產生的磁場與傳感器電橋的敏感軸共線；

還包括脈沖產生電路和信號處理電路，所述的脈沖產生電路用于提供正極磁場脈沖和負極磁場脈沖，所述脈沖產生電路包括第一電壓器和第二電壓器，所述第一電壓器輸出正極電壓V1，所述第二電壓器輸出負極電壓V2；所述信號處理電路根據正極電壓V1和負極電壓V2計算出輸出電壓Vout＝(V1+V2)/2，并通過輸出電壓電路進行輸出。

2.根據權利要求1所述的一種具有磁滯線圈的磁傳感器封裝結構，其特征在于：所述襯底為LGA襯底，所述螺旋磁滯線圈(2)沉積在所述LGA襯底上；

所述磁電阻傳感器推挽式電橋的推臂沉積在一個傳感器切片上，所述磁電阻傳感器推挽式電橋的的挽臂沉積在另一個傳感器切片上，其中所述傳感器切片沉積在所述LGA襯底上。

3.根據權利要求1所述的一種具有磁滯線圈的磁傳感器封裝結構，其特征在于：所述螺旋磁滯線圈設置在所述磁電阻傳感元件的上方或者下方的平面上。

4.根據權利要求1或3所述的一種具有磁滯線圈的磁傳感器封裝結構，其特征在于：所述磁傳感器封裝結構采用單芯片封裝，其中所述磁電阻傳感元件的釘扎層方向通過激光加熱磁退火設置。

5.根據權利要求1或2所述的一種具有磁滯線圈的磁傳感器封裝結構，其特征在于：所述傳感器橋臂為兩個或者四個，構成單軸傳感器，相對設置的傳感器橋臂的磁電阻傳感元件的釘扎層方向相反。

6.根據權利要求1或2所述的一種具有磁滯線圈的磁傳感器封裝結構，其特征在于：所述傳感器橋臂為四個或者八個，構成雙軸傳感器，相對設置的傳感器橋臂的磁電阻傳感元件的釘扎層方向相反。

7.根據權利要求1所述的一種具有磁滯線圈的磁傳感器封裝結構，其特征在于：所述輸出電壓通過數據計算系統遠程獲取。

8.根據權利要求2所述的一種具有磁滯線圈的磁傳感器封裝結構，其特征在于：還包括ASIC專用集成電路(6)，所述ASIC專用集成電路(6)和所述磁電阻傳感器推挽式電橋之間電連接，所述信號處理電路以及所述輸出電壓電路均集成在所述ASIC專用集成電路(6)中。

9.根據權利要求1或2所述的一種具有磁滯線圈的磁傳感器封裝結構，其特征在于：所述螺旋磁滯線圈在所述推臂產生的磁場與在所述挽臂產生的磁場方向相反，所述推臂位于所述螺旋磁滯線圈的一側，所述挽臂位于所述螺旋磁滯線圈相對于所述挽臂的另一側。

10.根據權利要求8所述的一種具有磁滯線圈的磁傳感器封裝結構，其特征在于：所述ASIC專用集成電路(6)設置在所述LGA襯底上。