[發(fā)明專利]預(yù)加工框架元件或支撐元件的方法和框架元件或支撐元件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710180581.5 | 申請(qǐng)日： | 2010-04-14 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN106888555B | 公開（公告）日： | 2020-11-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | L·馬雷爾吉克;A·張 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | ATS奧地利科技及系統(tǒng)技術(shù)股份公司 |
| 主分類號(hào)： | H05K3/00 | 分類號(hào)： | H05K3/00;H05K3/34 |
| 代理公司： | 中國(guó)貿(mào)促會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038 | 代理人： | 呂晨芳 |
| 地址： | 奧地利萊奧*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 加工 框架 元件 支撐 方法 | ||
1.一種為了制造電路板元件而預(yù)加工框架元件或支撐元件的方法，所述方法具有如下步驟：為了在制造電路板元件時(shí)使用而準(zhǔn)備具有板狀的基材的框架元件或支撐元件(1)；使框架元件或支撐元件(1)在120℃至350℃的溫度下受到時(shí)間為5秒到300秒的熱處理，在熱處理之后，將框架元件或支撐元件(1)與至少一個(gè)電路板元件(2)耦接，使得所述框架元件或支撐元件(1)周向完全包圍所述至少一個(gè)電路板元件(2)，并且使電路板元件(2)與框架元件或支撐元件(1)一起經(jīng)過至少一道工序處理，其特征在于，框架元件或支撐元件(1)在提高的溫度下具有小于0.02％的尺寸變化。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，框架元件或支撐元件(1)經(jīng)熱處理后立即與所述至少一個(gè)電路板元件(2)連接或耦接并經(jīng)受電路板元件(2)的處理，或者框架元件或支撐元件(1)在熱處理后在與所述至少一個(gè)電路板元件(2)之一耦接之前避免潮氣進(jìn)入地并氣密地包裝和貯存。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，框架元件或支撐元件(1)在至少210℃的溫度下受到時(shí)間為40秒到100秒的熱處理。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的方法，其特征在于，框架元件或支撐元件(1)在至少250℃的溫度下受到時(shí)間為至少10秒的熱處理。
5.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的方法，其特征在于，框架元件或支撐元件(1)在進(jìn)一步加熱到至少210℃之前在至少140℃的溫度下經(jīng)過時(shí)間為至少100秒的熱處理。
6.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的方法，其特征在于，多次對(duì)框架元件或支撐元件(1)進(jìn)行熱處理，每?jī)纱螣崽幚碇g進(jìn)行冷卻。
7.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的方法，其特征在于，對(duì)全表面的或板狀的基材進(jìn)行熱處理并且框架元件或支撐元件(1)在板狀的基材冷卻后由這種基材形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的方法，其特征在于，在熱處理結(jié)束最多72小時(shí)之后，將框架元件或支撐元件(1)與電路板元件(2)連接或耦接或者將框架元件或支撐元件(1)包裝起來(lái)。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，框架元件或支撐元件(1)在提高的溫度下與電路板元件(2)一起經(jīng)過至少一道工序處理。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，框架元件或支撐元件(1)與電路板元件(2)一起經(jīng)過電路板元件(2)的裝配處理。
11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，框架元件或支撐元件(1)在200℃到300℃之間的溫度下受到時(shí)間為5秒到300秒的熱處理。
12.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，框架元件或支撐元件(1)在120℃到350℃之間的溫度下受到時(shí)間為10秒到200秒的熱處理。
13.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，框架元件或支撐元件(1)由用環(huán)氧樹脂浸泡過的玻璃絲網(wǎng)材料制成。
14.一種用于在制造電路板元件時(shí)使用的框架元件或支撐元件，具有板狀的基材，所述板狀的基材構(gòu)成用于容納至少一個(gè)電路板元件并且在120℃至350℃的溫度下受到時(shí)間為5秒到300秒的熱處理，其中，各待組裝的電路板元件(2)的相互位置保持在長(zhǎng)度270毫米至400毫米時(shí)25微米至50微米的公差范圍，框架元件或支撐元件(1)在熱處理之后能與所述至少一個(gè)電路板元件(2)為了容納該電路板元件而耦接，使得所述框架元件或支撐元件(1)周向完全包圍所述至少一個(gè)電路板元件(2)，并且能與電路板元件(2)一起在至少一個(gè)工序處理中使用。
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