[發明專利]基板晶片以及Ⅲ族氮化物半導體元件的制造方法

有效

• 申請號: 201710180536.X
• 申請日: 2017-03-24
• 公開（公告）號: CN107305920B
• 公開（公告）日: 2020-04-07
• 發明（設計）人: 陳凱欣;黃信雄;李宛蓉;陳佩佳;戴永信
• 申請（專利權）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/32
• 分類號: H01L33/32;H01L33/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種由一六方晶系單晶材料所構成的基板晶片，且該六方晶系單晶材料包含一c軸晶面、一a軸晶面、及一m軸方向，該基板晶片包含：

上表面，包含該c軸晶面構成的一c軸平面；

第一側邊，與該上表面連接，且自垂直于該c軸平面方向觀之，該第一側邊實質為一弧線，并具有一曲率中心；以及

第二側邊，與該第一側邊連接；

其中，該a軸晶面與該m軸方向平行；

其中，該第二側邊與該曲率中心具有一最短距離構成的一線段，而該線段與該m軸方向不垂直。

2.一種由一六方晶系單晶材料所構成的基板晶片，且該六方晶系單晶材料包含一c軸晶面、一a軸晶面、及一m軸方向，該基板晶片包含：

上表面，包含該c軸晶面構成的一c軸平面；

第一側邊，與該上表面連接，且自垂直于該c軸平面方向觀之，該第一側邊實質為一弧線；以及

第二側邊，與該第一側邊連接，且自垂直于該c軸平面方向觀之，該第二側邊實質為一直線；

其中，該a軸晶面與該m軸方向平行；

其中，該第二側邊與該m軸方向不平行。

3.一種外延晶片，包含：

如權利要求2所述的基板晶片；以及

多個Ⅲ族氮化物半導體單元，設置于該上表面上。

4.如權利要求2所述的基板晶片或權利要求3所述的外延晶片，該第二側邊與該m軸方向的夾角介于5度～20度或40～50度。

5.如權利要求2所述的基板晶片或權利要求3所述的外延晶片，其中，該六方晶系單晶材料為藍寶石。

6.如權利要求2所述的基板晶片或權利要求3所述的外延晶片，該上表面還包含多個規則排列的凸部結構。

7.如權利要求6所述的基板晶片或外延晶片，其中，自垂直于該c軸平面方向觀之，該些多個規則排列的凸部結構分別具有一個外輪廓圖案，且該些外輪廓圖案分別具有一個幾何中心點，連接該些幾何中心點其中六個實質上可構成一個想象的正六邊形，而該想象的正六邊形的各邊均不平行或垂直于該第二側邊。

8.如權利要求3所述的外延晶片，還包含多條彼此相互平行的第一方向切割道及多條彼此相互平行的第二方向切割道，分隔該些Ⅲ族氮化物半導體單元。

9.如權利要求8所述的外延晶片，其中該些第一方向切割道或該些第二方向切割道平行于該第一側邊。

10.一種Ⅲ族氮化物半導體元件的制作方法，包含：

提供一個如權利要求1所述的基板晶片；

形成多個Ⅲ族氮化物半導體單元于該基板晶片上；以及

分割該些Ⅲ族氮化物半導體單元以形成多個Ⅲ族氮化物半導體元件。

11.如權利要求10所述的Ⅲ族氮化物半導體元件的制作方法，還包含蝕刻該上表面以形成多個規則排列的凸部結構。

12.如權利要求11所述的Ⅲ族氮化物半導體元件的制作方法，其中，自垂直于該c軸平面方向觀之，該些多個規則排列的凸部結構分別具有一個外輪廓圖案，且該些外輪廓圖案分別具有一個幾何中心點，連接該些幾何中心點其中六個實質上可構成一個想象的正六邊形，而該想象的正六邊形的各邊均不平行或垂直于該第二側邊。

13.如權利要求10、11、或12所述的Ⅲ族氮化物半導體元件的制作方法，還包含形成多條彼此相互平行的第一方向切割道及多條彼此相互平行的第二方向切割道。

14.如權利要求13所述的Ⅲ族氮化物半導體元件的制作方法，其中該些第一方向切割道或該些第二方向切割道平行于該第二側邊。