[發明專利]像素單元及其制造方法、陣列基板和顯示裝置有效
| 申請號: | 201710180474.2 | 申請日: | 2017-03-23 |
| 公開(公告)號: | CN108628046B | 公開(公告)日: | 2021-04-27 |
| 發明(設計)人: | 任興鳳;車璐;曾玲玲 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1362 | 分類號: | G02F1/1362;G02F1/1333;G02F1/1343 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 姜春咸;陳源 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素 單元 及其 制造 方法 陣列 顯示裝置 | ||
1.一種像素單元,其特征在于,所述像素單元包括薄膜晶體管、像素電極、第一絕緣層、第二絕緣層、公共電極和公共電極線,所述公共電極線與所述公共電極電連接,所述第一絕緣層設置在所述薄膜晶體管的漏極與所述像素電極之間,所述像素電極通過貫穿所述第一絕緣層的過孔與所述漏極電連接,所述第二絕緣層設置在所述像素電極與所述公共電極線之間,以將所述像素電極與所述公共電極線絕緣間隔,且所述第二絕緣層的一部分和所述公共電極線的一部分均位于所述過孔中,
所述像素單元還包括導電連接件,所述導電連接件貫穿所述公共電極線位于所述過孔中的部分、所述第二絕緣層位于所述過孔中的部分、所述像素電極位于所述過孔中的部分,以將所述公共電極線與所述漏極電連接,所述導電連接件的材料與所述公共電極線的材料相同,且由所述公共電極線位于所述過孔中的部分熔化獲得。
2.根據權利要求1所述的像素單元,其特征在于,所述公共電極與相應的所述公共電極線搭接。
3.根據權利要求1或2所述的像素單元,其特征在于,所述第一絕緣層的材料包括醇酸樹脂、丙烯酸樹脂、聚乙烯、聚苯乙烯、聚酯樹脂、聚酰胺樹脂、酚醛樹脂中的任意一者或者任意幾者的組合,所述第二絕緣層的材料包括硅的氧化物和/或硅的氮化物。
4.一種陣列基板,所述陣列基板包括多個像素單元,其特征在于,至少一個所述像素單元為權利要求1至3中任意一項所述的像素單元。
5.一種顯示裝置,所述顯示裝置包括陣列基板,其特征在于,所述陣列基板為權利要求4所述的陣列基板。
6.一種像素單元的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括:
提供襯底基板;
在所述襯底基板上形成薄膜晶體管;
形成第一絕緣層;
在第一絕緣層上與所述薄膜晶體管的漏極對應的位置形成過孔,所述過孔沿所述第一絕緣層的厚度方向貫穿所述第一絕緣層,并露出所述漏極的一部分表面;
形成像素電極,所述像素電極的一部分位于所述過孔中,以與所述漏極電連接;
形成第二絕緣層,所述第二絕緣層的一部分位于所述過孔中,且所述第二絕緣層覆蓋所述像素電極;
形成公共電極線,所述公共電極線的一部分位于所述過孔中,且所述公共電極線與所述像素電極之間通過所述第二絕緣層絕緣間隔;
形成公共電極,所述公共電極與所述公共電極線電連接,以獲得初始像素單元;
所述制造方法還包括:
對所述初始像素單元進行檢測;
當所述初始像素單元發生亮點不良時,所述制造方法還包括:
在所述初始像素單元中形成導電連接件,以獲得所述像素單元,所述導電連接件貫穿所述第二絕緣層和所述像素電極,以將所述初始像素單元公共電極線位于所述過孔內的部分與所述初始像素單元的漏極電連接,所述導電連接件的材料與所述公共電極線的材料相同,且由所述公共電極線位于所述過孔中的部分熔化獲得。
7.根據權利要求6所述的制造方法,其特征在于,所述公共電極與相應的所述公共電極線搭接,所述公共電極的一部分也位于所述過孔中。
8.根據權利要求6或7所述的制造方法,其特征在于,在所述初始像素單元中形成導電連接件的步驟中,利用激光焊接的方式形成所述導電連接件。
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