[發明專利]一種自潔抗菌瓷質釉飾磚及其制造工藝

在審

• 申請號: 201710179884.5
• 申請日: 2017-03-23
• 公開（公告）號: CN107188614A
• 公開（公告）日: 2017-09-22
• 發明（設計）人: 古戰文;劉任松;劉學斌;査根;楊慶霞
• 申請（專利權）人: 江西和美陶瓷有限公司
• 主分類號: C04B41/89
• 分類號: C04B41/89;C03C8/14
• 代理公司: 北京國坤專利代理事務所(普通合伙)11491
• 代理人: 黃耀鈞

1.一種自潔抗菌瓷質釉飾磚，其特征在于：包括瓷磚胚體層(1)以及由內而外依次涂覆在瓷磚胚體層(1)上的化妝土層(2)、圖案裝飾層(3)和耐磨層(4)，其中，上述化妝土層(2)、圖案裝飾層(3)和耐磨層(4)的基料中分別添加納米ZnO抗菌劑，在瓷磚胚體層(1)的表面形成三層抗菌層。

2.根據權利要求1所述的一種自潔抗菌瓷質釉飾磚，其特征在于：所述的瓷磚胚體層(1)為干壓成型瓷磚胚體，其表面為平面或凸面及凹坑深度不大于1mm的仿古凹凸面。

3.根據權利要求2所述的一種自潔抗菌瓷質釉飾磚，其特征在于：所述的化妝土層(2)通過淋釉或噴釉的施釉方式涂覆在瓷磚胚體層(1)上，其厚度為0.15-0.28mm。

4.根據權利要求3所述的一種自潔抗菌瓷質釉飾磚，其特征在于：所述的圖案裝飾層(3)通過絲網印刷或輥筒印刷的方式涂覆在上述化妝土層(2)上，其厚度為0.03-0.12mm。

5.根據權利要求4所述的一種自潔抗菌瓷質釉飾磚，其特征在于：所述的耐磨層(4)的為透明釉，其釉層厚度為0.03-0.15mm，通過淋釉或甩釉或噴釉的方式涂覆在上述圖案裝飾層(3)上；上述透明釉中含有質量比為10-20％的耐磨半透明干粒，干粒粒徑為0.1-0.2mm，干粒耐磨度為4-5級，干粒的莫氏硬度為7-9級。

6.根據權利要求5所述的一種自潔抗菌瓷質釉飾磚，其特征在于：所述的納米ZnO抗菌劑中ZnO的純度不小于99.99％，納米ZnO的粒徑大小為20-85nm，納米ZnO抗菌劑在上述化妝土層(2)、圖案裝飾層(3)和耐磨層(4)的基料中所占總質量比為3-6％。

7.一種自潔抗菌瓷質釉飾磚的制造工藝，其特征在于，包括以下步驟：

A、對干燥瓷磚胚體表面噴水；

B、將陶瓷化妝土基料與納米ZnO抗菌劑球磨制漿得到納米ZnO抗菌化妝土釉料，并將該納米ZnO抗菌化妝土釉料涂覆在步驟A中噴水后的瓷磚胚體表面，形成厚度為0.15-0.28的化妝土層；

C、將陶瓷裝飾釉基料與納米ZnO抗菌劑球磨制漿得到納米ZnO抗菌裝飾釉料，并將該納米ZnO抗菌裝飾釉料印刷在上述步驟B中化妝土層的表面，形成厚度為0.03-0.12的圖案裝飾層；

D、將耐磨釉基料與納米ZnO抗菌劑球磨制漿得到納米ZnO抗菌耐磨釉，并將該納米ZnO抗菌耐磨釉涂覆在上述步驟C中圖案裝飾層的表面，形成厚度為0.03-0.05的耐磨層；

E、將上述步驟D中具有耐磨層的瓷磚胚體送入輥道窯進行燒成，燒成條件為：燒成溫度1100～1220℃，燒成周期55～70分鐘，燒成完成后得到吸水率小于0.1％的自潔抗菌瓷質釉飾磚。

8.根據權利要求7所述的一種自潔抗菌瓷質釉飾磚的制造工藝，其特征在于：所述的納米ZnO中ZnO的純度不小于99.99％，納米ZnO的粒徑大小為20-85nm，納米ZnO抗菌劑在上述步驟B、C及D中的陶瓷化妝土基料、陶瓷裝飾釉基料及耐磨釉基料中所占總質量比為3-6％；上述步驟B、C、D中球磨制漿采用濕法球磨，分別將陶瓷化妝土基料、陶瓷裝飾釉基料及耐磨釉基料進行球磨，當漿料細度達到325目篩余0.2％-0.5％時，分別往其內加入納米ZnO粉，并分別球磨攪拌0.8-1.5h混合均勻后待用；上述步驟B中的納米ZnO抗菌化妝土釉料的施釉方式為淋釉或噴釉；上述步驟C中的納米ZnO抗菌裝飾釉料的施釉方式為絲網印刷或輥筒印刷；上述步驟D中納米ZnO抗菌耐磨釉的施釉方式為淋釉或甩釉或噴釉，且納米ZnO抗菌耐磨釉中加入有質量比為10-20％的耐磨半透明干粒，干粒粒徑為0.1-0.2mm，干粒耐磨度達到4～5級，干粒的莫氏硬度為7～9級，其施釉方式采用直線淋干粒方式。

9.根據權利要求8所述的一種自潔抗菌瓷質釉飾磚的制造工藝，其特征在于：所述的步驟E得到的自潔抗菌瓷質釉飾磚進行拋光工藝或不進行拋光工藝，并依次繼續進行磨邊及打包步驟后得到成品。

10.根據權利要求7-9中任一項所述的一種自潔抗菌瓷質釉飾磚的制造工藝，其特征在于：所述的陶瓷化妝土基料、陶瓷裝飾釉基料及耐磨釉基料與納米ZnO抗菌劑進行球磨時，在釉漿中添加有解膠分散劑，解膠分散劑的配方質量比為：腐殖酸鈉0.2％-0.4％、六偏磷酸鈉0.2％-04％、三聚磷酸鈉0.3％-0.5％、聚丙烯酸鈉0.1％-0.3％、清水99.2％-98.4％。